工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 技术 | SRAM - 异步 |
存储器接口 | 并联 | 访问时间 | 55ns |
存储器格式 | SRAM | 存储器类型 | 易失 |
安装类型 | 表面贴装型 | 写周期时间 - 字,页 | 55ns |
存储容量 | 2Mb (256K x 8) | 电压 - 供电 | 2.5V ~ 3.6V |
IS62WV2568BLL-55HLI 是一款高性能的异步 SRAM (静态随机存取存储器) IC,由美国芯成(ISSI)制造,具有 2Mb 的存储容量,采用 32-sTSOP I 封装。它主要应用于需要快速存取的存储任务,因其低延迟和高访问速度,该产品非常适合于计算机、网络设备、消费电子以及工业控制等多种领域。
存储容量: 2Mb (256K x 8)
工作温度范围: -40°C ~ 85°C
访问时间: 55ns
供电电压: 2.5V ~ 3.6V
安装类型: 表面贴装型 (SMD)
易失性存储器: SRAM 是一种易失性存储器,意味着在断电后将失去存储的数据。这使得 SRAM 特别适合于临时数据存储,比如 CPU 的缓存。
异步接口: 作为一种异步 SRAM,该设备的读写操作不需要时钟信号,简化了系统设计,并提供了更高的灵活性。
并联存储器接口: 该产品支持并行接口,可实现高带宽的数据读写操作,极大提高了数据传输速率,满足高速处理需求。
IS62WV2568BLL-55HLI 的广泛应用范围包括但不限于:
IS62WV2568BLL-55HLI 是一款高性能的异步 SRAM IC,凭借其快速的访问时间、合适的工作电压范围以及坚固的工作温度条件,成为众多电子设备中的理想选择。其 2Mb 的存储容量和 32-sTSOP I 的紧凑封装,使得该产品在占用空间上表现出色,为现代高速电子设备提供了良好的数据存储解决方案。不论是在计算机、网络设备还是消费电子领域,IS62WV2568BLL-55HLI 都能够满足严苛的性能要求,是开发人员优质的选择。