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IS62WV2568BLL-55HLI 产品实物图片
IS62WV2568BLL-55HLI 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

IS62WV2568BLL-55HLI

商品编码: BM0084328751
品牌 : 
ISSI(美国芯成)
封装 : 
32-sTSOP I
包装 : 
托盘
重量 : 
-
描述 : 
SRAM-异步-存储器-IC-2Mb(256K-x-8)-并联-55ns-32-sTSOP-I
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
10.09
按整 :
托盘(1托盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥10.09
--
100+
¥8.7
--
1000+
¥8.28
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IS62WV2568BLL-55HLI参数

工作温度-40°C ~ 85°C(TA)技术SRAM - 异步
存储器接口并联访问时间55ns
存储器格式SRAM存储器类型易失
安装类型表面贴装型写周期时间 - 字,页55ns
存储容量2Mb (256K x 8)电压 - 供电2.5V ~ 3.6V

IS62WV2568BLL-55HLI手册

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无数据

IS62WV2568BLL-55HLI概述

IS62WV2568BLL-55HLI 产品概述

一、产品简介

IS62WV2568BLL-55HLI 是一款高性能的异步 SRAM (静态随机存取存储器) IC,由美国芯成(ISSI)制造,具有 2Mb 的存储容量,采用 32-sTSOP I 封装。它主要应用于需要快速存取的存储任务,因其低延迟和高访问速度,该产品非常适合于计算机、网络设备、消费电子以及工业控制等多种领域。

二、基本参数

  1. 存储容量: 2Mb (256K x 8)

    • 本产品提供 2 兆位的存储容量,内部结构为 256K × 8 位,这意味着可以存储 256,000 个字节的信息,每字节由 8 位组成,非常适合数据缓存、临时存储等应用。
  2. 工作温度范围: -40°C ~ 85°C

    • 该 SRAM 在广泛的温度范围内运行可靠,适合于工业级和消费电子应用,能够承受严格的环境条件。
  3. 访问时间: 55ns

    • 该产品的访问时间为 55 纳秒,提供高速的数据读写能力,优化系统性能,特别适合实时数据处理和快速缓存。
  4. 供电电压: 2.5V ~ 3.6V

    • IS62WV2568BLL-55HLI 在 2.5V 至 3.6V 的电压下工作,降低了功耗,并适用于电源管理要求较高的设计。
  5. 安装类型: 表面贴装型 (SMD)

    • 表面贴装技术(SMT)使得该设备具有较小的占板面积,方便在高密度电路板上使用,适应现代电子设备日益集成化的趋势。

三、技术特点

  • 易失性存储器: SRAM 是一种易失性存储器,意味着在断电后将失去存储的数据。这使得 SRAM 特别适合于临时数据存储,比如 CPU 的缓存。

  • 异步接口: 作为一种异步 SRAM,该设备的读写操作不需要时钟信号,简化了系统设计,并提供了更高的灵活性。

  • 并联存储器接口: 该产品支持并行接口,可实现高带宽的数据读写操作,极大提高了数据传输速率,满足高速处理需求。

四、应用领域

IS62WV2568BLL-55HLI 的广泛应用范围包括但不限于:

  1. 计算机系统: 作为 CPU 缓存或临时数据存储,提高系统性能。
  2. 网络设备: 用于数据包缓存、路由器和交换机中的临时存储。
  3. 消费电子: 智能手机、平板电脑等设备的数据存储需求。
  4. 工业控制: 控制系统中的数据缓存以及参数存储。

五、总结

IS62WV2568BLL-55HLI 是一款高性能的异步 SRAM IC,凭借其快速的访问时间、合适的工作电压范围以及坚固的工作温度条件,成为众多电子设备中的理想选择。其 2Mb 的存储容量和 32-sTSOP I 的紧凑封装,使得该产品在占用空间上表现出色,为现代高速电子设备提供了良好的数据存储解决方案。不论是在计算机、网络设备还是消费电子领域,IS62WV2568BLL-55HLI 都能够满足严苛的性能要求,是开发人员优质的选择。