额定功率 | 2W | 集电极电流Ic | 5A |
集射极击穿电压Vce | 100V | 晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | 通孔 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 3A,3V |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500µA | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 4V @ 20mA,5A |
工作温度 | 150°C(TJ) | 功率 - 最大值 | 2W |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A |
封装/外壳 | TO-220-3 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
TIP122是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的NPN型达林顿晶体管,采用TO-220-3封装,主要用于高功率和高增益的开关和放大应用。该晶体管具有较高的电压和电流承载能力,额定功率高达2W,集电极电流(Ic)可达到5A,集射极击穿电压(Vce)为100V,适合于各种工业及消费类电子产品的应用。
达林顿晶体管是一种由两个NPN晶体管串联组成的放大器配置。由于其独特的结构,达林顿管可以提供极高的电流增益(hFE),在TIP122中,最小直流电流增益为1000,在集电极电流3A和Vce为3V时,可以达到这个值。这一特性使得TIP122非常适合于低功率信号控制高功率负载的场合,如马达驱动、继电器驱动等。
TIP122的工作温度范围广泛,最高可达150°C(TJ),使其在极端条件下也能可靠工作。其集成设计适用于绝大多数电路需求,尤其是在空间紧张的应用中,TO-220-3封装提供了良好的散热性能。
TIP122 NPN达林顿晶体管以其出色的电流增益和高功率特性,成为众多电气设计中不可或缺的元件。无论是在家电、工业控制还是其他高功率应用中,TIP122都展现了极高的性能和可靠性。凭借ST半导体的技术支持,TIP122的应用潜力将继续拓展,为电子产品的设计与开发提供了强大的动力支持。