工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 技术 | FRAM(铁电体 RAM) |
时钟频率 | 10MHz | 存储器接口 | SPI |
安装类型 | 表面贴装型 | 存储器类型 | 非易失 |
电压 - 供电 | 1.8V ~ 3.6V | 存储容量 | 64Kb (8K x 8) |
存储器格式 | FRAM |
MB85RS64TPNF-G-JNERE2 是富士通公司推出的一款高性能的非易失性存储器,它采用了先进的铁电体 RAM(FRAM)技术,能够在极宽的工作温度范围内稳定运行,适用于各种应用场景。该产品的典型规格包括64Kb(8K x 8)的存储容量,支持高达10MHz的SPI时钟频率,同时能够在1.8V至3.6V的供电电压范围内正常工作。其安装类型为表面贴装型(SMD),适合现代电子设备的设计要求。
存储技术:使用FRAM技术,MB85RS64TPNF-G-JNERE2 提供了快速的读写速度和优越的耐用性。与传统的EEPROM和Flash存储器相比,FRAM具有更快的写入速度和更高的耐写入次数,能够支持数万亿次的擦写操作,使得数据的持久性和稳定性得以保障。
工作温度范围:该器件在 -40°C 至 85°C 的广泛工作温度范围内稳定工作,因而非常适合于工业控制、汽车电子和高温环境下的应用。
存储容量:64Kb(8K x 8)的存储容量使得MB85RS64TPNF-G-JNERE2非常适合存储中小规模的数据,能够满足许多嵌入式系统和移动设备对数据存储的需求。
SPI接口:支持SPI接口的高速通信,使其可以轻松地与各种微控制器和数字信号处理器连接,适应性强。SPI协议的简洁性使得数据传输效率高,并能够确保实现低延迟的存取操作。
紧凑的封装:采用8-SOP封装,该器件不仅节省了PCB板面积,同时确保了良好的电气性能和可靠的连接。紧凑的设计更加利于现代电子产品的小型化。
由于其优良的性能和广泛的工作温度范围,MB85RS64TPNF-G-JNERE2在多种应用场景中得到了广泛应用,主要包括:
消费电子:如智能手表、可穿戴设备和移动终端,用于存储用户配置数据和操作状态。
工业自动化:在工业控制系统中,MB85RS64TPNF-G-JNERE2可用于实时数据记录和系统状态保存,提高系统的稳定性和可靠性。
汽车电子:由于其高耐温和耐久性的特性,该器件适合用于车载电子设备中,如仪表盘、导航系统等,用于存储关键数据和参数。
医疗设备:在医疗监测和控制系统中,快速数据写入和存储的能力帮助实现实时数据分析与记录。
MB85RS64TPNF-G-JNERE2的铁电体RAM技术的优势不仅体现在其快速的数据存取能力上,还包括对电源中断的低敏感性和更长的存储寿命。该器件不需要进行复杂的电源管理,因此在节能和数据保护方面表现出色。此外,FRAM的写入和擦除过程也显著降低了在高频操作时的电力消耗。
MB85RS64TPNF-G-JNERE2以其卓越的性能和极高的可靠性,成为现代电子设备中不可或缺的存储解决方案。无论是面向高温环境的工业应用,还是需要低功耗、高速度数据存取的消费电子产品,该器件都能够提供优越的性能,满足客户的各种需求,体现了富士通在存储器领域的技术实力和创新能力。