TDM3421
TDM3421参数
| 功率(Pd) | 29.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF@15V |
| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 20nC@10V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 666pF@15V | 连续漏极电流(Id) | 16A |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.3V@250uA |
TDM3421手册
TDM3421概述
TDM3421 产品概述
产品名称: TDM3421
类型: 场效应管 (MOSFET)
品牌: Techcode（泰德）
封装形式: PPAK-8 (3x3mm)
功率: 29.8W
电压: 30V
电流: 32A
极性: P沟道
产品简介
TDM3421 是由知名电子元器件制造商 Techcode（泰德）生产的一款高效 P-Channel MOSFET，专为各种功率管理应用而设计。凭借其卓越的电气性能和紧凑的PPAK-8（3x3mm）封装，TDM3421 在满足高功率环境下的可靠性和稳定性方面表现出色，尤其适用于电源开关、电池管理和电动车辆等应用场景。
关键特性
高效能: TDM3421 最大承载功率为 29.8W，能够在广泛的工作条件下提供优异的性能。该器件的额定电压高达 30V，结合 32A 的最大漏电流，适合处理大功率负载。
封装设计: PPAK-8（3x3mm）封装不仅确保了良好的热管理和散热性能，而且其紧凑的尺寸适合于空间受限的设计需求，极大优化了电路板布局。
低导通电阻: 该MOSFET在开启状态下具有低导通电阻（Rds(on)），这意味着在工作时能效更高，发热量更低，减少功耗并提高整体系统的效率。
安全性和可靠性: TDM3421 设计具有良好的温度稳定性和过流保护，确保在高负载和恶劣环境下的可靠运行。其良好的漏电特性和控制特性使其在多种应用中表现出高度的安全性。
应用领域
TDM3421 特别适合用于如下多种应用:
电源管理: 在开关电源、线性电源和其他电源转换电路中，作为开关元件或电流控制器使用。
电池管理: 用于电池组的保护电路和充电电路，能够有效控制充放电过程，延长电池寿命。
电动汽车: 可在电动汽车的电机驱动、提升电源效率及驱动控制电路中发挥重要作用。
消费电子: 在各种消费电子产品中，如便携式设备、家电等，用于高效的电源管理和信号处理。
工业控制: 在工业自动化设备中，使用 TDM3421 进行电流控制和驱动，高效满足工业界对产品稳定性和耐用性的需求。
性能参数
- 最大功率: 29.8W
- 最大电压: 30V
- 最大电流: 32A
- 封装类型: PPAK-8 (3x3mm)
- 工作温度范围: 通常-55°C 至 +150°C
- 低导通电阻: 提高能效和降低热损耗
结论
TDM3421 是一款具备高性能、高可靠性的 P-Channel MOSFET，广泛适用于电源管理和电池管理等多个应用领域。它不仅能有效提升能效，还能满足现代电子设备对空间、热量管理及长期稳定性的苛刻需求。对于希望在设计中实现更高效方案的工程师们来说，TDM3421 是理想的选择。在未来电子设计的道路上，选择 Techcode 的 TDM3421，将为您的产品增添卓越的竞争优势。