制造商 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 包装 | 托盘 |
零件状态 | 不适用于新设计 | 存储器类型 | 易失 |
存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM |
存储容量 | 256Mb(16M x 16) | 存储器接口 | 并联 |
时钟频率 | 143 MHz | 访问时间 | 5.4 ns |
电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 54-TSOP(0.400",10.16mm 宽) |
供应商器件封装 | 54-TSOP II |
IS42S16160G-7TLI 是由 Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI) 生产的一款高性能动态随机存取存储器 (DRAM)。作为一款256Mb (16M x 16) 的 SDRAM,IS42S16160G-7TLI 主要用于需要高速度和高效率的应用场景,如网络设备、打印机、图像处理器和各类嵌入式系统等。该产品的设计旨在满足快速数据传输和存储需求,确保数据访问的高带宽和可靠性。
存储容量与结构:IS42S16160G-7TLI 提供256Mb的存储容量,其内部结构为16M x 16位,这意味着每次读取或写入可以处理16位数据,使得在多个应用中的数据吞吐能力得到极大提高。
高时钟频率:本产品的时钟频率为143MHz,能够支持快速的读写操作,降低数据延迟。这使得在需要快速数据响应的应用中表现优异,比如实时数据处理。
访问时间:访问时间为5.4纳秒,意味着存储器能够快速响应外部请求,大幅改善数据读写的效率。一旦数据存储请求发出,DRAM能够在短时间内提供所需数据,适合高速缓存和高性能计算平台。
供电电压:IS42S16160G-7TLI 的工作电压范围在3V至3.6V之间,此设计使得产品具备较好的兼容性,适合多种常见电子电路和系统设计。相较于老旧内存,较低的供电需求也有助于降低功耗。
工作温度范围:该产品能够在-40°C到85°C的环境下稳定工作,适合各种严苛环境的应用。这使得 IS42S16160G-7TLI 特别适合军事、工业自动化及汽车电子等领域。
安装类型与封装:采用表面贴装技术(SMD),封装形式为54-TSOP II,这种设计不仅可以节省板上空间,还便于高效的自动化生产。其高度集成的设计适应于空间受限的电子设备中,方便制造商优化其产品设计。
IS42S16160G-7TLI 广泛应用于各种电子产品中,尤其是计算机系统的主存储器或图形卡中的高速缓存。由于其高速访问、低功耗及高可靠性,它非常适用于以下领域:
综合而言,IS42S16160G-7TLI 的设计和技术特点使其成为一款极具竞争力的选择,适合各种需要高性能内存解决方案的应用。然而,需注意的是该零件状态为“不适用于新设计”,这通常意味着该产品可能已经停产或存在更先进的替代品供开发者使用。在选择时应考虑未来的可持续性与支持情况。