IRF8707TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SO-8
包装 :
编带
重量 :
0.275g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 11A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
19274(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
1.4按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.4
--
100+
￥1.08
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1000+
￥0.899
--
2000+
￥0.817
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4000+
￥0.75
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24000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF8707TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.9 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.3nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 760pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
IRF8707TRPBF手册
IRF8707TRPBF概述
产品概述：IRF8707TRPBF
基本信息
IRF8707TRPBF是一款高性能N通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为多种应用而设计。其主要特点包括耐压高达30V、连续漏极电流高达11A，并具备极低的导通电阻和栅极电荷。这使得IRF8707TRPBF特别适用于电源管理、直流-直流转换器和高效开关电源等场合。
技术参数
- FET 类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：11A（在25°C环境下）
- 驱动电压：4.5V（最小）至10V（最大）
- 最大导通电阻（Rds(On)）：在10V驱动电压和11A时，Rds(On)最大为11.9毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为2.35V，@ 25µA
- 栅极电荷（Qg）：在4.5V时最大为9.3nC
- 栅极-源电压（Vgs）：最大值为±20V
- 输入电容（Ciss）：在15V时最大为760pF
- 功率耗散：最大为2.5W（在25°C时）
- 工作温度范围：-55°C至150°C
- 封装类型：表面贴装型，8-SOIC
- 封装尺寸：8-SOIC（0.154"宽，3.90mm）
应用场景
IRF8707TRPBF适用于多种电子应用，特别是在需要高效率和高功率处理的系统中。其低导通电阻使得在开关应用中产生的功耗最小化，增强了系统的整体效率。这款MOSFET常见的应用包括：
- 电源转换器：适用于各种类型的DC-DC转换器，能够有效地转换电压和维护稳定输出。
- 开关电源：在函数发生器、无线充电、LED驱动器等高效能需求的开关电源解决方案中表现出色。
- 电动汽车：在电动汽车的电池管理系统、中频逆变器以及电机控制器中，保障高效的电力调配和转化。
- 家电和工业控制：如电热水器、变频器和其它需要精确电力控制的应用。
封装设计与热管理
IRF8707TRPBF采用8-SOIC封装，具有紧凑的尺寸，方便在空间有限的电路板上进行安装。其良好的传热特性和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）使得该元件在各种环境条件下仍能稳定运行。此外，表面贴装设计进一步提升了组件的组装效率和密度，适合现代电子和工业应用。
可靠性和性能优势
IRF8707TRPBF的可靠性得到了充分的工程验证。宽广的工作温度范围和高耐压能力确保了其在恶劣环境下的稳定性。同时，其低导通电阻配合适当的栅驱动设计，能够有效降低热量产生，延长元器件的使用寿命。
总之，IRF8707TRPBF是为需求高性能和高效率的应用而设计的一款优质MOSFET。无论是在新兴的电动车技术还是在传统的电源管理中，它都能为设计工程师提供理想的解决方案，促进电子设备的性能提升和能效优化。