FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 46 毫欧 @ 4.1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 5µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.5nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 290pF @ 16V |
功率耗散(最大值) | 1.3W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品名称: IRLML6246TRPBF
品牌: Infineon(英飞凌)
封装类型: SOT-23 (Micro3)
IRLML6246TRPBF是Infineon公司推出的一款高性能N沟道MOSFET(场效应管)。该器件专为通用低电压和中等电流应用设计,具备出色的导通性能和热特性,广泛应用于电源管理、开关电路、负载驱动及各种电子产品中。
漏源电压(Vdss): 20V
连续漏极电流(Id): 4.1A
驱动电压:
导通电阻(Rds On):
栅极阈值电压(Vgs(th)):
栅极电荷(Qg):
输入电容(Ciss):
工作温度范围:
功率耗散:
IRLML6246TRPBF因其出色的性能,广泛应用于以下领域:
高效率: 低导通电阻(Rds On)和高电流处理能力,使得IRLML6246TRPBF在电源转化过程中的功率损耗降到最低,提升电路的整体效率。
高速开关: 较低的栅极电荷(Qg)特性使得其在频繁开启与关闭时保持良好的响应速度,提升电路性能。
宽泛的温度适应性: 可在广泛的温度范围内正常工作,使其适用于工业、消费及汽车等多种应用环境。
总的来说,IRLML6246TRPBF是一款性能优异的N沟道MOSFET,适合各种中小功率应用场合,凭借其高效率、快速响应及稳定性,成为众多设计工程师的首选器件。无论是在电源管理还是信号处理领域,IRLML6246TRPBF都提供了可靠的解决方案,是现代电子设计中不可或缺的重要元件。