注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRLML2030TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23(Micro3)
包装 :
编带
重量 :
0.035g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 2.7A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
26017(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.615按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.615
--
200+
￥0.424
--
1500+
￥0.385
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLML2030TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 100 毫欧 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML2030TRPBF手册
无数据
IRLML2030TRPBF概述
产品概述：IRLML2030TRPBF (Infineon N-Channel MOSFET)
一、基本信息
IRLML2030TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，其设计旨在满足现代电子设备对于高效能和高可靠性的需求。该器件采用了先进的金属氧化物半导体（MOSFET）技术，具备出色的电气特性和广泛的应用灵活性。IRLML2030TRPBF 适用于各类电子产品，包括开关电源、功率放大器和电机驱动等。
二、技术规格
- 漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，允许在相对较高的电压下安全工作，适合中低压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，IRLML2030TRPBF 能够承受高达 2.7A 的连续漏极电流，保证了其在高负载条件下的稳定性和可靠性。
- 导通电阻 (Rds On): 它的导通电阻在 10V 的栅极驱动电压下最大为 100 毫欧，这意味着在高电流通过时可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大栅极阈值电压为 2.3V @ 25μA，确保了器件可以在较低的栅极驱动电压下迅速导通，有助于实现更加快速的开关操作。
- 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 110pF @ 15V，表明该器件对于快速信号的响应能力极强，能够适用于高频应用。
三、驱动与封装
- 驱动电压: IRLML2030TRPBF 可在 4.5V 和 10V 的驱动电压下使用，提升了其兼容性及妥善应对不同电压需求的能力，有助于与各种控制电路的结合。
- 封装类型: 该元器件采用 SOT-23 (Micro3) 封装，尺寸小巧，便于表面贴装，适合空间受限的应用场景。
四、性能与应用领域
IRLML2030TRPBF 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，极宽的工作温度范围使其在极端环境下依然能够可靠工作，适合高温或低温条件的应用。其功率耗散能力为 1.3W（Ta），确保了在高负载情况下的安全和持续性能。
该 MOSFET 的广泛应用包括但不限于：
- 电源管理: 高效的开关电源DC-DC 转换器、线性稳压器等应用。
- 驱动电路: 用于控制电机驱动，高速开关或高频率信号切换。
- 自动化控制: 在工业控制系统中，IRLML2030TRPBF 提供开关电路所需的快速响应，助力高效能实现。
- 消费电子: 用于手机、电视等电子产品中，实现高效能的电源管理理念。
五、总结
IRLML2030TRPBF 是一款在多个领域中都表现优异的 N 通道 MOSFET，得益于其小型化的封装、宽广的工作温度范围和高效的电气性能，它已成为电子设计工程师广泛信赖的选择。无论是在高功率输出、信号开关还是电源管理应用中，这款 MOSFET 都能够发挥其最佳性能，为相应的系统带来更高的效率和可靠性。通过选择 IRLML2030TRPBF，工程师能够在设计时充分发挥其强大的功能，为最终产品的性能和用户体验提供有力保障。