功率(Pd) | 40W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 170pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 170mΩ@10V,16A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 25nC@50V |
漏源电压(Vdss) | 100V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 760pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 13A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
产品名称: NCE01P13K
类型: P沟道场效应管 (MOSFET)
功率: 40W
额定电压: 100V
额定电流: 13A
封装形式: TO-252-2 (DPAK)
品牌: NCE(新洁能)
NCE01P13K 是一款高性能的 P沟道场效应管,其最大功率为40W,能够在100V的操作电压下稳定工作,且其额定电流可以达到13A。这种高效能和稳定性使得该产品在各种电子应用中具有极大的灵活性和通用性。NCE品牌的产品以其可靠性和优异的性价比备受市场青睐。
高效率和低导通电阻: NCE01P13K 的设计考虑了低导通电阻,这对减少功耗和提高效率至关重要。高效的电流放大能力使得该场效应管在电源开关、功率调节和负载控制等应用中表现出色。
广泛的工作环境: 由于其较高的击穿电压和额定电流,NCE01P13K 能够适应各种工作环境,从消费者电子到工业控制,都能展现出卓越的性能。
优良的散热性能: TO-252-2 (DPAK) 封装提供有效的散热能力,从而提高了器件的工作稳定性。良好的热管理设计对于高功率应用尤为重要,尤其是在热量积聚会影响电路性能的情况下。
简单易用: P沟道 MOSFET 通常具有较简单的驱动要求,这使得 NCE01P13K 在设计时可以更易于集成和应用。只需提供一个较小的栅极电压,即可实现高效的开关操作。
NCE01P13K 的应用相当广泛,尤其在以下领域表现突出:
电源管理: 适用于开关电源的主开关和同步整流,尤其是在高效率电源设计中,其低导通电阻带来了显著的功率损耗降低。
电动机驱动: 用于驱动各类电动机,特别是在需要电流调节和控制的应用场景下,能够提供高效的解决方案。
工业自动化: 在自动化设备中,NCE01P13K 可作为负载开关或PWM控制元件,提高系统整体效率和响应速度。
消费电子: 应用于各种家电和便携式设备的电源管理模块,为消费者提供更持久的电池使用时间和更低的能耗解决方案。
NCE01P13K 是一款高性价比、适用于多种应用的 P沟道场效应管,凭借其优越的电流承载能力和可靠的工作性能,必将为各类电子设备的设计与开发提供强有力的支持。无论是电源管理、驱动控制还是小型家电,NCE01P13K 都将因其高效能和稳定性成为设计工程师的理想选择。在未来的电子产品中,这款 MOSFET 的应用前景广阔,将继续推动创新和发展。