功率(Pd) | 3.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 268pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@10V,15A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 65nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 3.96nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 25A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
NCE30P25S是一款高性能P沟道场效应管(MOSFET),其最大功率额定为3.5W,工作电压可达到30V,持续电流可达到25A。作为新洁能(NCE)品牌的一员,该产品以其卓越的特性和可靠性,广泛应用于各类电子设备中。其SOIC-8封装形式使得该产品在电路板设计中占用空间小,易于安装,为设计工程师提供了极大的便利。
高功率承载能力: NCE30P25S最大功率达到3.5W,能够在多种应用中提供充足的功率支持,适用于要求较高功率的电路。
宽工作电压范围: 该MOSFET的最大工作电压为30V,适合于多种低压电源管理应用,确保在正常工作范围内运行稳定。
出色的电流能力: 该器件的持续电流允许值达到25A,可满足高电流负载的驱动需求,在大功率应用中具有较高的可靠性。
SOIC-8封装: SOIC-8封装(150mil)设计使得NCE30P25S适合于表面贴装技术(SMT),便于自动化生产,同时小巧的尺寸亦减少了电路板的占用空间,适应紧凑型设计需求。
高开关速度和低导通电阻: 该MOSFET具备良好的开关特性,可以在高速开关应用中有效降低功耗,实现更高的效率。低导通电阻(Rds(on))特性降低了在开关状态下的功耗,从而提高整体电路的效率。
热稳定性: NCE30P25S在一定的工作温度范围内仍能保持良好的性能,适用于变温环境下的各种应用。
凭借其优秀的规格和性能,NCE30P25S被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
在使用NCE30P25S时,设计工程师需要关注MOSFET的冷却设计,确保设备在高负载工作时不会过热。还需注意优化PCB布局以降低寄生电感影响,以实现最佳的开关性能。
此外,由于其为P沟道器件,选择合适的驱动电路尤为重要,以确保其在不同工作状态下能够快速响应,减少开关延迟,提高整体电路效率。
总之,NCE30P25S是一款出色的P沟道MOSFET,凭借其高功率、高电流及良好热稳定性,在多个领域中展现了广泛的应用潜力。其优越的性能和稳健的设计使其成为电子工程师在高效功率管理和控制设计中的优选元器件。无论是开关电源还是电动机控制,NCE30P25S都能帮助设计师实现更加高效和可靠的电路设计。