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NCE4435 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

NCE4435

商品编码: BM69418598
品牌 : 
NCE(新洁能)
封装 : 
SOP-8_150mil
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道 SOP-8
库存 :
40631(起订量1,增量1)
批次 :
24+
数量 :
X
0.598
按整 :
圆盘(1圆盘有4000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.598
--
200+
¥0.412
--
2000+
¥0.374
--
4000+
¥0.35
--
40000+
产品参数
产品手册
产品概述

NCE4435参数

功率(Pd)3.1W反向传输电容(Crss@Vds)300pF
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@4.5V,6.9A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)30nC
漏源电压(Vdss)30V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)1.6nF@15V连续漏极电流(Id)9.1A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA

NCE4435手册

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无数据

NCE4435概述

NCE4435 产品概述

一、产品简介

NCE4435 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),具备出色的电气特性和热稳定性,广泛应用于电源管理、直流-直流转换器、电池充电器及各类功率转换应用中。其最大功率承载能力为 3.1W,额定电压高达 30V,持续电流可达到 9.1A,极大地方便了设计人员在多种电路中的应用。

二、主要特点

  1. 高电流能力:最大可承受的放电电流为 9.1A,适合于高电流负载的格局。
  2. 较高的耐压特性:30V 的耐压能力适用于中低压电源应用,能够应对一般工业和消费类电子设备的需求。
  3. 低导通电阻:MOSFET 的低 R_DS(on) 特性有效减少了在导通情况下的能量损耗,提高了整体的电源效率。
  4. SOP-8 封装:NCE4435 采用 SOP-8 表面贴装封装,便于自动化焊接,降低了组装成本,同时也提高了空间利用率,适合现代小型化电路设计。

三、应用领域

NCE4435 的应用场合十分广泛,主要包括但不限于以下几个方面:

  • 电源管理: 利用其高电流和高电压特性,NCE4435 可以作为开关元件用于电源适配器、开关电源等。
  • 直流-直流转换器: MOSFET 的高效率使得其在 DC-DC 转换器中扮演重要角色,如降压转换器和升压转换器,这为便携式设备和工业设备提供了高效能量转换方案。
  • 电池管理系统: 在电池充放电过程中,NCE4435 可作为开关控制元件,确保安全、快速地充放电,延长电池使用寿命。
  • 马达控制: 其强大的电流处理能力使得 NCE4435 适合用于各种电机驱动电路,提供稳定的电源。

四、技术规格

  • 类型: P 沟道 MOSFET
  • 最大功率: 3.1W
  • 最大耐压: 30V
  • 最大电流: 9.1A
  • 封装: SOP-8_150mil
  • 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  • 体电容: 50pF
  • 导通电阻: 极低的 R_DS(on) 值,使得导通损耗更小,适合高效能应用。

五、产品优势

NCE4435 的优势在于其出色的电气性能和广泛的适用性。与传统的双极型晶体管相比,MOSFET 具有更高的输入阻抗,能够有效降低控制信号对电源的影响。此外,NCE4435 的开关速度快,使其非常适合于高频电源应用,帮助设计工程师获得更好的系统性能和效率。

六、总结

作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET,NCE4435 凭借其高电流能力、低导通电阻和出色的耐压特性,越来越成为电源管理和功率控制领域的首选元件。无论是在家电、消费电子还是工业设备中,NCE4435 的应用潜力巨大,而其SOP-8封装形式也为设计者提供了更多的灵活性和便捷性。随着现代电子设备对效率与体积的不断追求,NCE4435 将在未来的市场中发挥更加重要的作用。