功率(Pd) | 3.1W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 300pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@4.5V,6.9A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC |
漏源电压(Vdss) | 30V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.6nF@15V | 连续漏极电流(Id) | 9.1A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.5V@250uA |
NCE4435 是一款高性能的 P 沟道场效应管(MOSFET),具备出色的电气特性和热稳定性,广泛应用于电源管理、直流-直流转换器、电池充电器及各类功率转换应用中。其最大功率承载能力为 3.1W,额定电压高达 30V,持续电流可达到 9.1A,极大地方便了设计人员在多种电路中的应用。
NCE4435 的应用场合十分广泛,主要包括但不限于以下几个方面:
NCE4435 的优势在于其出色的电气性能和广泛的适用性。与传统的双极型晶体管相比,MOSFET 具有更高的输入阻抗,能够有效降低控制信号对电源的影响。此外,NCE4435 的开关速度快,使其非常适合于高频电源应用,帮助设计工程师获得更好的系统性能和效率。
作为一款高效能的 P 沟道 MOSFET,NCE4435 凭借其高电流能力、低导通电阻和出色的耐压特性,越来越成为电源管理和功率控制领域的首选元件。无论是在家电、消费电子还是工业设备中,NCE4435 的应用潜力巨大,而其SOP-8封装形式也为设计者提供了更多的灵活性和便捷性。随着现代电子设备对效率与体积的不断追求,NCE4435 将在未来的市场中发挥更加重要的作用。