功率(Pd) | 1.5W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 17.9pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 200mΩ@10V,1.5A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 11.3nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 444.2pF@30V | 连续漏极电流(Id) | 1.6A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@1.5A |
AP2311GN 是一款由 APDC(富鼎)的场效应管(MOSFET),其设计针对各种功率电子应用而优化。该器件采用 SOT-23 封装,具有紧凑的尺寸并支持高效的热管理。AP2311GN 特别适合用于低功耗的开关电源、电子负载以及其他需要高效能和可靠性的场合。
功率和电流能力:
沟道类型:
封装类型:
由于其出色的性能规格,AP2311GN 被广泛应用于各种电子产品中,包括但不限于:
DC-DC 转换器:在开关电源中,AP2311GN 提供了高效的开关功能,帮助实现电能的有效转换与管理。
电源管理 IC:主要用于与微控制器或其他控制设备结合,实现智能电源管理,使得电源流动更加智能和灵活。
电池供电应用:可用于便携式设备和电池管理系统,确保设备在低电量情况下依然能够稳定运营。
LED 驱动电路:在 LED 照明系统中,AP2311GN 可用作开关元件,保证恒流驱动以延长 LED 的使用寿命。
AP2311GN 具有以下优异性能参数:
导通电阻(RDS(on)):低于标准水平,减少了开关损耗和热量产生,提升了工作效率。
开关速度:快速开关能力使其能够支持高频率的开关应用,确保设备的响应速度。
体结电容:有效降低了开关时的对外干扰,为电子系统提供了良好的信号完整性。
在设计时,AP2311GN 充分考虑了高效、经济以及易制造性,使其相较于同类产品具有明显的竞争优势:
经济性:在同样性能的条件下,AP2311GN 的成本相对较低,可以帮助制造商减少整体生产成本。
可靠性:采用高品质的材料和制造工艺,确保了元器件在各种工作条件下的持久耐用。
设计灵活性:适应多种电路设计,能够在各种环境中稳定运行。
AP2311GN 作为富鼎推出的一款高效能 P沟道 MOSFET,凭借其出色的技术规格和应用灵活性,已在电子产品设计中逐步获得广泛认可。无论是工业级应用还是消费电子领域,AP2311GN 都能够为系统提供高度可靠的技术支持,助力设计师开发出更加高效、可靠的电子产品。随着电子技术的不断进步,AP2311GN 定能适应未来更多的技术需求,并继续在市场中占据一席之地。