工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 技术 | FRAM(铁电体 RAM) |
存储器接口 | SPI | 安装类型 | 表面贴装型 |
存储器类型 | 非易失 | 时钟频率 | 20MHz |
存储容量 | 64Kb (8K x 8) | 电压 - 供电 | 3V ~ 5.5V |
存储器格式 | FRAM |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 是富士通(FUJITSU)研发的一款高性能非易失性存储器,采用铁电体随机存取存储器(FRAM)技术。这款存储器特别适合需要快速读写及高耐用性的应用,提供了64Kb(8K x 8)的存储容量,极大地满足了当今电子产品对存储解决方案的严苛要求。
存储容量: MB85RS64VPNF-G-JNERE1 拥有64Kb的存储容量,具体为8K x 8位,适合各种数据记录和系统参数存储需求。
工作温度范围: 该存储器的工作温度范围为-40°C至85°C,确保在苛刻的环境条件下也能稳定工作。这使得它成为汽车、工业控制及其他需要在极端温度下运行的应用场景中理想的选择。
非易失性: FRAM技术的独特之处在于,其具有卓越的非易失性,即便在断电或掉电情况下,数据也能保存。相比于传统的闪存或EEPROM,FRAM具有更快的写入速度和更高的耐用性(可达到10^10次的写入循环)。
高速数据传输: MB85RS64VPNF-G-JNERE1支持SPI接口,最高时钟频率可达20MHz,能够实现快速的数据传输和处理,满足高频率读写需求的应用。
电源电压范围: 该存储器的供电电压范围为3V至5.5V,这一灵活的电压范围意味着它可以与多种电源系统兼容,适用于不同的应用场景。
表面贴装设计: 采用8-SOP封装形式,适合表面贴装技术(SMT),有助于快速且精确地集成到各种电路板中,满足现代电子设备的小型化和高密度设计需求。
优异的数据保持能力: 在不供电的情况下,MB85RS64VPNF-G-JNERE1可确保至少为10年的数据保持时间,确保数据的长期稳定。
MB85RS64VPNF-G-JNERE1由于其稳定性、非易失性和高速性,广泛应用于多种场景,包括但不限于:
工业自动化:在工控系统中,需要实时数据采集与存储的应用,如传感器数据记录、仪器仪表和控制系统。
汽车电子:在汽车系统中,对数据的高可靠性和抗干扰能力有很高要求,如发动机控制单元(ECUs)、仪表盘和车载信息娱乐系统。
消费电子:如智能家居设备、可穿戴设备等需要持久数据保存的智能终端。
通信设备:在无线通信和网络设备中,支持快速数据处理和存储的FRAM非常理想。
MB85RS64VPNF-G-JNERE1是一个专注于高性能和多功能性的非易失性存储解决方案,它结合了FRAM的天然优势和SPI接口的便捷性,为各种应用提供了强大的支持。凭借其广泛的工作温度范围、快速的数据传输能力和优异的数据保持特性,这款产品不仅仅是存储器的一个选择,更是现代电子设计不可或缺的重要组成部分。无论是在消费电子、工业应用,还是汽车电子领域,MB85RS64VPNF-G-JNERE1都以其卓越的技术特性,赢得了市场的广泛认可和使用。