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MB85RS256BPNF-G-JNERE1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

商品编码: BM69417315
品牌 : 
FUJITSU(富士通)
封装 : 
8-SOP
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
FRAM(铁电体-RAM)-存储器-IC-256Kb-(32K-x-8)-SPI-33MHz-8-SOP
库存 :
1328(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
8.57
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥8.57
--
100+
¥7.39
--
750+
¥7.04
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

MB85RS256BPNF-G-JNERE1参数

时钟频率33MHz工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
存储容量256Kb (32K x 8)技术FRAM(铁电体 RAM)
存储器接口SPI安装类型表面贴装型
存储器类型非易失存储器格式FRAM
电压 - 供电2.7V ~ 3.6V

MB85RS256BPNF-G-JNERE1手册

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MB85RS256BPNF-G-JNERE1概述

产品概述:MB85RS256BPNF-G-JNERE1

MB85RS256BPNF-G-JNERE1 是富士通(Fujitsu)推出的一款高性能铁电体随机存取存储器(FRAM),具备256Kb的存储容量,采用8-SOP封装,适用于各类嵌入式系统中的非易失性数据存储需求。以下将详细介绍其主要参数、应用场景及优势。

1. 主要规格

  • 时钟频率:本产品的最大时钟频率为33MHz,支持快速数据传输,能够满足对速度有较高要求的应用。
  • 工作温度范围:该器件能够在-40°C至85°C的宽广温度范围内稳定工作,适 合于工业、汽车及各种严苛环境下的应用。
  • 存储容量:MB85RS256BPNF-G-JNERE1提供256Kb的存储空间(32K x 8位),能够满足大部分低功耗、非易失性存储的需求。
  • 供电电压:电源电压范围为2.7V至3.6V,兼容多种应用设备的电源设计,适应性强。
  • 接口类型:支持SPI(串行外围设备接口)协议,具有多种操作模式,便于与微控制器或处理器进行高效通讯。

2. 技术特点

FRAM(铁电体RAM)是一种新型的存储技术,结合了RAM的快速读写能力和EEPROM的非易失性特点。MB85RS256BPNF-G-JNERE1在以下方面展现出显著优势:

  • 高速读写:FRAM技术允许在不牺牲速度的情况下进行大量的数据擦写,支持每秒数百万次的写入,如同DRAM一般的快速访问。
  • 超高耐久性:FRAM的擦写寿命可达到1014次,比传统Flash存储器大得多,这使得MB85RS256BPNF-G-JNERE1在需要频繁更新数据的应用中尤其有用。
  • 低功耗:该存储器在保持数据时几乎不消耗电能,极大地降低了系统能耗,延长了电池寿命,适合用于便携式和低功耗设备。

3. 应用领域

MB85RS256BPNF-G-JNERE1广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 工业控制:在自动化和控制系统中,使用此类FRAM能够有效存储配置数据和实时参数,确保在断电后数据不会丢失。
  • 汽车电子:在汽车的ECU(电子控制单元)中,MB85RS256BPNF-G-JNERE1可用于存储故障码、行驶数据及其他关键参数。
  • 医疗设备:许多医疗仪器需要保证数据准确、安全的长期保存,而该FRAM的非易失性特性恰好能够满足上述需求。
  • 智能家居:在智能设备中,MB85RS256BPNF-G-JNERE1可以用于保存用户设置信息和设备状态,有效提升用户体验。
  • 消费电子:如相机、音响设备中的用户设置保存,充分利用其快速响应的特性。

4. 总结

MB85RS256BPNF-G-JNERE1 是一款集高性能、高可靠性及低功耗于一体的FRAM存储器,凭借其宽广的应用范围和优越的技术特点,在未来日益增长的非易失性存储市场中将展现出良好的发展潜力。无论是在工业、汽车、医疗还是消费电子领域,该器件都体现了富士通对创新存储解决方案的持续承诺,极大地方便了工程师和设计师在产品开发中所面临的挑战。