MB85RC256VPNF-G-JNERE1
MB85RC256VPNF-G-JNERE1参数
| 电压 - 供电 | 2.7V ~ 5.5V | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 存储容量 | 256Kb （32K x 8） | 技术 | FRAM（铁电体 RAM） |
| 存储器接口 | I²C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 存储器类型 | 非易失 | 访问时间 | 550ns |
| 存储器格式 | FRAM | 时钟频率 | 1MHz |
MB85RC256VPNF-G-JNERE1手册
MB85RC256VPNF-G-JNERE1概述
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 产品概述
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 是富士通（Fujitsu）推出的一款高性能铁电体随机存取存储器（FRAM），其存储容量为256Kb（32K x 8位），采用I²C接口，适用于各种低功耗和非易失性存储需求的电子应用。这款FRAM器件在多个重要方面表现出优越的性能，特别是在电源管理和环境适应性方面，其特点使其成为电子设备设计中的理想选择。
主要特性
电压范围： MB85RC256VPNF-G-JNERE1的供电电压范围为2.7V至5.5V，使其能够在低电压和标准电压条件下工作，适应多种应用环境，稳定性高。
工作温度： 工作温度范围为-40°C至85°C（TA），意味着它能够在极端环境下正常运行，适用于工业级、汽车、消费电子及医疗设备等小型或大型应用。
存储容量： 内置256Kb的存储容量（32K x 8位），提供足够的存储空间来满足大多数传感器、控制和数据日志等电子应用的需求。
非易失性： FRAM的非易失性特性确保了在断电情况下数据的持久性，无需外部电源即可保存数据，这对于需要数据安全和完整性的应用至关重要。
访问时间： 该器件的访问时间为550纳秒，保证了快速的数据读写能力，适合高频率的数据交换需求，尤其是在需要实时数据处理的应用中。
时钟频率： 支持最高1MHz的时钟频率，能够满足高速数据传输的需要，同时其I²C接口的兼容性使其能够轻松与多种主控器兼容，从而简化系统设计。
封装与安装类型： 采用8-SOP封装形式，适合表面贴装（SMD）安装，易于集成到现代小型化电子设备中，同时有助于节省PCB空间。
应用场景
MB85RC256VPNF-G-JNERE1的广泛应用场景包括：
- 智能仪表：如数字传感器和控制器，需周期性记录及保存数据。
- 数据记录设备：如环境监测、智能电表等，要求数据的高可靠性及长期保存。
- 汽车电子：在汽车控制单元中，存储重要的校准数据及故障历史记录等。
- 医疗设备：用于保存患者数据和设备设置，确保数据在断电情况下不丢失。
- 消费电子产品：如智能家居设备、可穿戴设备及其他低功耗应用。
总结
MB85RC256VPNF-G-JNERE1是一款具备高性能、高可靠性与广泛应用潜力的FRAM存储器，其非易失性、宽工作电压和温度范围、较快的访问时间和合适的封装形式，使其在各种电子产品中都能发挥重要作用。尤其是在要求数据安全和稳定性的场合，FRAM技术相较于传统闪存或SRAM有着明显的优势。因此，MB85RC256VPNF-G-JNERE1不仅适合需要高频写入的应用，也适用于需要频繁读取和写入数据的重要场合，是满足未来智能化设备存储需求的重要选择。