时钟频率 | 143MHz | 存储容量 | 64Mb(4M x 16) |
存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | DRAM |
存储器接口 | 并联 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | 访问时间 | 5.4ns |
安装类型 | 表面贴装型 | 技术 | SDRAM |
IS42S16400J-7TLI 是一款高性能的同步动态随机存取存储器(SDRAM),由美国芯成(ISSI)公司设计和制造。其结构为64Mb(4M x 16),适合多种电子应用,尤其是在要求高速度和高密度存储的场合。该存储器的主要特点包括143MHz的时钟频率,5.4ns的访问时间,以及宽广的工作温度范围,使之非常适合工业控制、网络设备、消费电子和嵌入式系统等应用场景。
时钟频率: 143MHz
IS42S16400J-7TLI在143MHz的工作频率下,能够达到出色的数据传输性能,提供在多个数据速率和负载条件下的高效能。
存储容量: 64Mb (4M x 16)
其采用的4M x 16位架构为系统提供了充足的存储空间,适合大多数对存储要求较高的应用。
存储器类型: 易失性
该存储器为易失性设备,意味着在断电后数据将会丢失,适宜用于需要快速读写操作但不需长期数据保存的场合。
存储器接口: 并联
采用并行接口设计,IS42S16400J-7TLI能够实现快速的数据传输,对接多通道应用时表现尤为出色。
工作温度: -40°C ~ 85°C
广泛的工作温度范围使其在极端的环境中运行成为可能,适合工业、军事及特殊环境应用。
供电电压: 3V ~ 3.6V
在3V至3.6V的电压范围内,该存储器展现出优良的性能和效率,为设计师提供了较大的电源兼容性。
访问时间: 5.4ns
快速的访问时间使得存储操作更加高效,降低了延迟。
安装类型: 表面贴装型
该组件采用TSOP-II封装(54引脚),设计上适合现代电子设备的高密度金属化基板。
IS42S16400J-7TLI 的高频率和存储能力让其非常适合以下应用场景:
IS42S16400J-7TLI是一款高效率、高性能的SDRAM,凭借其先进的技术规格和可靠的工作特性,为各种电子产品提供了强大的存储支持。无论是在严苛的工业环境或是高要求的消费市场,这款存储器都能发挥其优异的性能,满足不断增加的带宽和存储需求。通过选择IS42S16400J-7TLI,设计工程师可以确保其产品在性能和可靠性上的卓越表现。