功率(Pd) | 85W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 120pF |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 20mΩ@10V,20A |
工作温度 | -55℃~+175℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 50nC@30V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.05nF@30V | 连续漏极电流(Id) | 50A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
NCE6050KA是一款由新洁能(NCE)制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),其电气性能优秀,特别设计用于高效能应用。这款MOSFET的额定功率为85W,最大漏极-源极电压为60V,具有出色的50A最大电流承载能力,非常适合在各种工业及民用电源管理、开关电源、直流-直流转换器等领域的应用。
这些特征使NCE6050KA在提高系统效率、降低功耗方面表现优异,尤其适用于需要快速开关和高电流的应用场景。
TO-252(DPAK)是一种常见的表面贴装封装,具有紧凑的外形和较好的散热性能。它的设计使得在PCB布局时更加灵活,适合各种空间受限的设计需求。此外,DPAK封装的引脚结构也有助于提高焊接的可靠性和电性能。
NCE6050KA可以广泛应用于以下几个领域:
NCE6050KA是一款功能强大的N沟道MOSFET,其优秀的电气特性和灵活的应用场景使其成为现代电子设计中的理想选择。无论是在高效电源管理、快速开关电路,还是在电机控制系统中,这款MOSFET都能够提供可靠的性能和优异的电流承载能力。通过合理的设计和应用,NCE6050KA将为各种电子产品增添连绵不绝的动力与效率。