晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 40V | 额定功率 | 480mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 350mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 210 @ 1A,2V | 功率 - 最大值 | 480mW |
频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PBSS5240T,215是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),专为各种电子应用设计。此器件拥有显著的电流和电压支持能力,旨在满足现代电源管理和信号放大需求。作为安世(Nexperia)的旗舰产品之一,PBSS5240T,215结合了优异的性能参数和紧凑的封装设计,广泛应用于消费电子、工业设备及通信领域。
PBSS5240T,215采用SOT-23-3(TO-236AB)表面贴装型封装,其小巧的设计极大地方便了PCB的布线和装配。SOT-23的封装尺寸和结构使得该元件非常适合于空间限制较严的电子设备,同时维持出色的散热性能,确保稳定的工作状态。
由于PBSS5240T,215的卓越性能和高可靠性,该晶体管广泛应用于多个领域:
PBSS5240T,215晶体管凭借其卓越的技术规格和应用灵活性,已经成为了一款理想的电子元器件选择。它不仅能够确保高电流和高电压应用的稳定性,还能有效提升整体系统的能效与性能,是现代电子设计中不可或缺的一部分。通过有效利用PBSS5240T,215,工程师们可以开发出更加高效和灵活的解决方案,以应对未来的技术挑战与市场需求。