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UMT1NTN 产品实物图片
UMT1NTN 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

UMT1NTN

商品编码: BM0000000765
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
UMT6
包装 : 
编带
重量 : 
0.025g
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 50V 150mA PNP SC-70-6(SOT-363)
库存 :
115799(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.307
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.307
--
200+
¥0.198
--
1500+
¥0.173
--
3000+
¥0.153
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

UMT1NTN参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)工作温度150°C(TJ)
频率 - 跃迁140MHz功率 - 最大值150mW
电压 - 集射极击穿(最大值)50V晶体管类型2 PNP(双)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 5mA,50mA不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)120 @ 1mA,6V

UMT1NTN手册

UMT1NTN概述

产品概述:UMT1NTN 三极管 (BJT)

一、基本信息

UMT1NTN是一款高性能的PNP型双极晶体管,适用于各种电子电路中的信号放大和开关应用。该产品由ROHM(罗姆)公司制造,具有优越的电气性能和可靠性,尤其适合在紧凑的空间内使用。

二、结构特点

  1. 封装形式:UMT1NTN采用表面贴装型(SMD)封装,型号为SC-70-6(SOT-363),结构紧凑,易于自动化贴装,适用于现代电子产品的PCB设计。
  2. 电流与功率规格:设备的集电极电流(Ic)的最大值为150mA,能够满足大多数应用场景的需求。同时,其最大功率为150mW,适合低功耗电子设备。

三、电气特性

  1. 集射极击穿电压:UMT1NTN的集射极击穿电压(Vce)最大值为50V,能够适应相对较高的工作电压,适合在各种工作条件下使用。
  2. 集电极截止电流:该三极管的集电极截止电流最大为100nA(ICBO),预示着其在关闭状态下几乎没有功耗,特别适合低功耗电路。
  3. 频率响应:该器件的跃迁频率达到了140MHz,支持高速开关操作,适合高频信号应用和射频设计。

四、工作温度与可靠性

UMT1NTN的工作温度范围高达150°C,确保在高温环境下仍能正常工作,使其在高温电子产品中表现出色。此外,ROHM公司的严格制造标准和质量控制体系为产品的长期可靠性提供了保障。

五、性能参数

  1. 饱和压降:在5mA和50mA的不同集电极电流下,其Vce饱和压降最大为500mV。这一特性对于低功耗电路实现高效率至关重要。
  2. 电流增益:该三极管的电流增益(hFE)在1mA和6V条件下的最小值为120,这意味着在一定的输入电流下能够有效放大输出电流,适合多种放大器设计。

六、应用场景

UMT1NTN三极管广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子等领域。其高频、高温和低功耗特性使其特别适合用于以下应用:

  • 音频放大器:在音频设备中,UMT1NTN能够有效放大音频信号,提高音质。
  • 开关电路:在开关电源和逻辑电路中,该三极管能快速切换,确保电路高效稳定运行。
  • 射频应用:由于其较高的频率响应,UMT1NTN可用于射频放大器和调制解调器。
  • 传感器接口:在各种传感器应用中,UMT1NTN可作为信号放大和驱动器的解决方案。

七、总结

UMT1NTN三极管是一款具备多项优异性能参数的PNP型双极晶体管,适用于多种电子电路的设计与应用。凭借其高可靠性、良好的电气特性和适应性强的封装设计,这款产品无疑是电子工程师在设计低功耗、高性能设备时的首选之一。选择UMT1NTN,意味着选择稳定与效率的保障。