额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 150mV @ 500µA,5mA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-89,SOT-490 | 供应商器件封装 | EMT3F(SOT-416FL) |
DTC043ZEBTL 是一款由日本知名品牌 ROHM(罗姆)制造的高性能 NPN 型数字晶体管。该晶体管设计用于各种电子应用,具有优秀的电气特性和可靠性,广泛应用于驱动电路、开关电路和放大电路等领域。凭借其150mW的额定功率、50V的集射极击穿电压(Vce)和100mA的集电极电流(Ic),DTC043ZEBTL 显示出良好的性能和适应性,能够满足多种应用需求。
DTC043ZEBTL 的设计提供了高达 250MHz 的频率跃迁能力,适合高速信号处理和射频应用。此外,该晶体管具有优秀的电流增益 (hFE),即使在较低的集电极电流下,依然保持良好的放大能力。这对于需要高增益的应用,例如传感器接口和小信号放大器,至关重要。
饱和压降(Vce(sat))为150mV,非常适合低功耗设计,特别是在电源管理和开关应用中。在低功率开关电路中,越低的饱和压降能够有效降低功耗和发热,提高电路的整体效率。
由于 DTC043ZEBTL 出色的电气性能,这款数字晶体管广泛应用于多种电子电路,包括但不限于:
DTC043ZEBTL 使用 EMT3F(SOT-416FL)封装,具备表面贴装型设计,易于自动化生产。其小巧的尺寸使其非常适合空间有限的应用场合,如便携式设备、手机及其他消费电子产品。
选择 DTC043ZEBTL 的几个主要理由包括:
DTC043ZEBTL 是一款优质的 NPN 型数字晶体管,凭借其卓越的电气性能、灵活的应用范围和优良的性价比,适用于各类现代电子设备。无论是在开发新的电路还是优化现有设计,该晶体管都能为工程师提供可靠的解决方案,是电子设计中不可或缺的重要组成部分。