漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 86A |
栅源极阈值电压 | 2.35V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 5.8mΩ @ 25A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 75W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 86A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 5.8 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 50µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 23nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2150pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 75W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
产品名称:IRLR8726TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-252-3(D-Pak)
一、基本规格
IRLR8726TRPBF是一款高性能、表面贴装的N沟道MOSFET,特别设计用于高功率和高电流应用场合。其主要参数如下:
二、设计与应用
IRLR8726TRPBF MOSFET设计先进,其制造技术采用了高效的金属氧化物半导体(MOS)技术,提供了优异的开关性能和热稳定性。它适用于多种领域,包括但不限于:
三、技术优势
IRLR8726TRPBF提供了一系列技术优势:
四、总结
IRLR8726TRPBF是一款高效的N沟道MOSFET,因其优秀的电气特性和广泛的应用域,受到市场的广泛欢迎。无论是在消费电子、工业电源还是汽车电子领域,该MOSFET均展现了良好的性能和可靠性,是各种电力和控制方案的理想选择。无论您在寻找什么样的高功率解决方案,IRLR8726TRPBF都能为您提供强大的支持。