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IRLR8726TRPBF 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IRLR8726TRPBF

商品编码: BM0000287957
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO-252-3(DPAK)
包装 : 
编带
重量 : 
5.49g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 75W 30V 86A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
19193(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.54
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.54
--
100+
¥1.18
--
1000+
¥0.984
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

IRLR8726TRPBF参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)86A
栅源极阈值电压2.35V @ 50uA漏源导通电阻5.8mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)75W类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)86A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.35V @ 50µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)23nC @ 4.5V
Vgs(最大值)±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2150pF @ 15V
功率耗散(最大值)75W(Tc)工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装D-Pak
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

IRLR8726TRPBF手册

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IRLR8726TRPBF概述

IRLR8726TRPBF 产品概述

产品名称:IRLR8726TRPBF
品牌:Infineon(英飞凌)
类型:N沟道MOSFET
封装:TO-252-3(D-Pak)

一、基本规格

IRLR8726TRPBF是一款高性能、表面贴装的N沟道MOSFET,特别设计用于高功率和高电流应用场合。其主要参数如下:

  • 漏源电压(Vdss):最高可承受30V的漏源电压,适合大多数低至中压应用。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C环境下,最大连续漏极电流可达86A,确保其在高负载条件下依然能够稳定工作。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):阈值电压为2.35V @ 50µA,表明该MOSFET在较低的栅电压下便能导通,便于与多种驱动电路兼容。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):在10V驱动下,导通电阻为5.8mΩ @ 25A,表明在工作时具有极低的能量损耗和热耗散,有助于提高系统效率。
  • 最高功率耗散:最大功率耗散为75W(在Tc条件下),适合多个应用场景。
  • 工作温度范围:广泛的工作温度范围为-55°C至175°C,确保在极端环境下正常运行。

二、设计与应用

IRLR8726TRPBF MOSFET设计先进,其制造技术采用了高效的金属氧化物半导体(MOS)技术,提供了优异的开关性能和热稳定性。它适用于多种领域,包括但不限于:

  1. 电源管理:广泛用于高效功率转换设备及电源模块,可以有效降低能量损耗,提升整体系统效率。
  2. 电机驱动:适合驱动直流电机及无刷电机控制的应用,能够承受高电流需求且响应迅速。
  3. 开关控制:在各种开关电路中,能够实现快速开关和稳定的工作性能,可用于DC-DC转换器和其他需要频繁开关的电路中。
  4. 汽车应用:可用于电动汽车和混合动力汽车中的高压电力控制系统,帮助提高输电效率和优化功耗管理。

三、技术优势

IRLR8726TRPBF提供了一系列技术优势:

  • 低导通电阻:其低的Rds(on)特性减少了通流损耗,提高了工作效率,适合长期处于高负载状态的应用场景。
  • 高电流承载能力:其高Id能力使其能够适应要求较高的负载,增加系统的可靠性。
  • 宽广的工作温度范围:优良的温度适应能力,使产品能够在各种苛刻条件下工作,符合现代工业和汽车应用的需求。
  • 良好的开关特性:快速的栅极响应和低栅极电荷(Qg)能够提高开关频率,降低驱动损耗,适用于高频应用。

四、总结

IRLR8726TRPBF是一款高效的N沟道MOSFET,因其优秀的电气特性和广泛的应用域,受到市场的广泛欢迎。无论是在消费电子、工业电源还是汽车电子领域,该MOSFET均展现了良好的性能和可靠性,是各种电力和控制方案的理想选择。无论您在寻找什么样的高功率解决方案,IRLR8726TRPBF都能为您提供强大的支持。