IRF3205PBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.64g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200W 55V 110A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
4441(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.21按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.21
--
50+
￥1.71
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF3205PBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 110A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8mΩ @ 62A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8 毫欧 @ 62A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 146nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3247pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF3205PBF手册
IRF3205PBF概述
IRF3205PBF 产品概述
概述
IRF3205PBF 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）推出，专门设计用于高功率和高效率的电子应用。具备卓越的电气性能和极高的可靠性，IRF3205PBF 是电源管理、电机驱动和其他需要高电流传输的电路中不可或缺的组成部分。
主要特点
- 漏源电压（Vdss）: IRF3205PBF 的额定漏源电压为55V，这使其在多数常规电子应用中具有良好的耐压能力。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C 环境温度下，该MOSFET的最大连续漏极电流可达到110A。这一高额定电流使得该器件特别适用于高负载条件下的应用场景。
- 导通电阻（Rds(on)）: IRF3205PBF 在60A 大电流和10V 栅源电压下的最大导通电阻仅为8mΩ。这一特点确保了器件在导通状态下低功耗和高效率，减少了因发热带来的能量损失。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 该产品的栅源阈值电压为4V @ 250µA，适合常见的驱动电压水平，具备良好的开关特性。
- 门极电荷（Qg）: 在10V 的驱动电压下，IRF3205PBF 的门极电荷最大值为146nC，意味着良好的反应速度，有助于实现高频开关操作。
- 输入电容（Ciss）: 最大输入电容为3247pF @ 25V，低输入电容有助于提高开关速度并降低驱动功耗。
物理特性
- 工作温度: IRF3205PBF 可在-55°C 至 175°C 的宽温度范围内稳定工作，满足苛刻环境下的应用需求。
- 功率耗散: 最大功率耗散为200W，能够承受在高负载情况下的热管理挑战。
- 封装类型: 该MOSFET 采用TO-220AB 封装，这种通孔安装封装设计提供了更好的散热能力，方便与散热器结合使用，以应对高功率应用带来的热量。
应用场景
IRF3205PBF 可广泛应用于：
- 电源管理系统: 包括开关电源、DC-DC 转换器等，对低导通电阻和高效率有需求的场合。
- 电动机驱动: 在工业电动机、机器人系统、汽车电机控制等高电流应用中担任关键角色。
- 电池管理系统: 在电池充放电过程中提供均衡的电流输送，确保系统的稳定性和安全性。
- 逆变器和转换器: 高效率的逆变器设计、太阳能逆变器和其他能源转换设备中也是理想选择。
结论
IRF3205PBF 作为一款经过优化的 N 沟道 MOSFET，具备高电压、高电流承载能力、低导通电阻及良好的散热性，适合在各种高功率应用中使用。无论是在电源转换、驱动控制还是其他要求高效、高稳定性的电子电路中，IRF3205PBF 都可以提供卓越的性能和可靠性。选择该MOSFET意味着您将持有一款成熟且具备高性价比的电子元件，为您的设计增添竞争优势。