额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 200mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SOT-323 |
BC847BW是由Nexperia(安世)制造的一款高性能NPN型小信号晶体管,广泛应用于各种电子电路中。该器件具备多种特点,使其成为信号放大和开关应用的理想选择,尤其是在需要小型化和高效率的现代电子设备中。
BC847BW的额定功率为200mW,集电极电流(Ic)最大可达到100mA,集射极击穿电压(Vce)最大值为45V。在设计时,工程师可以依靠这些参数来确保晶体管在其工作条件下的稳定性和可靠性。
此晶体管的结构为NPN型,适合在多个应用场景中使用,尤其是在需要控制更高电压或电流的开关电路中。它的高集电极电流和适度的击穿电压使其能够在高负载下正常工作。
BC847BW在不同的工作条件下,表现出色的性能特征。例如,在低集电极电流(如5mA)下,Vce饱和压降最大为400mV。这对于电路设计非常重要,因为低饱和压降意味着更高的效率和更少的热量产生。此外,器件的最大电流-集电极截止值为15nA,使得其在关闭状态下能够有效地抑制漏电流。
该晶体管还具有良好的直流电流增益(hFE),在2mA和5V条件下,增益最小值为200,这意味着在相对较小的基极电流下,可以实现更大的集电极电流,进一步提升应用的灵活性和性能。
BC847BW的频率跃迁达到100MHz,确保其在高频应用中也能保持良好的增益和线性特性。这使得该器件适合用于射频放大、模拟信号处理等尖端技术领域。此外,其工作温度范围高达150°C(TJ),让工程师在设计时更能放心,应对极端的工作环境和温度变化。
BC847BW采用SOT-323封装,3206标准化尺寸,适合表面贴装(SMD)设计。这种小巧的封装不仅有助于减小电路板的空间占用,还能提高生产效率,尤其是在批量生产中。
由于其灵活性和高性能,BC847BW适用于多种电子产品,常见应用包括但不限于:
对于需要高可靠性与性能的应用,BC847BW是一个非常合适的选择。它在成本、性能和小尺寸之间实现了良好的平衡,是现代电子设计的重要组成部分。
Nexperia的BC847BW是一种高效、非常可靠的小信号NPN晶体管,凭借其优异的电气特性,紧凑的封装设计,以及广泛的应用潜力,这一器件成为许多电子产品和系统设计中不可或缺的元件。无论是针对新兴技术还是现有的电子设计,BC847BW都展现出了极大的价值和应用前景。工程师们可以凭借其丰富的参数和性能特征,轻松实现系统设计目标,推动技术创新。