连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.1A | 漏源电压(Vdss) | 20V |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 112mΩ @ 2.8A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 860mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 112 毫欧 @ 2.8A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 405pF @ 10V |
功率耗散(最大值) | 860mW(Ta),1.6W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2301CDS-T1-GE3 是由 VISHAY(威世)制造的一款P沟道MOSFET(场效应管),其设计旨在满足广泛的功率管理应用需求。该器件具备高效能和可靠性,特别适用于低电压和中等功率的电路。以下是关于该器件的详细规格和应用场景介绍,帮助设计师和工程师更好地理解其特性及优势。
SI2301CDS-T1-GE3 的主要参数包括:
该 MOSFET 的设计通过使用先进的金属氧化物技术,实现了低导通电阻,能够有效降低开关损耗并优化功率效率。这使得 SI2301CDS-T1-GE3 在开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用中更加高效。
SI2301CDS-T1-GE3 采用 SOT-23-3(TO-236) 封装,属于表面贴装型安装方式,这种紧凑的封装设计不仅节省了PCB面积,还支持高密度电路板设计。适合于要求高度集成和空间有限的便携设备和消费电子产品。
SI2301CDS-T1-GE3 的应用范围非常广泛,以下几点是其主要的应用场所:
作为一款高性能的P沟道MOSFET,SI2301CDS-T1-GE3 不仅在技术性能上满足了现代电子器件对能源效率和热管理的高要求,同时其小巧的封装和出色的温度特性,使其尤其适合用于多个领域,尤其是便携式设备和汽车电子。工程师和设计师可以利用其优越的特性,设计出更为高效和安全的电子产品。