额定功率 | 300mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 80V | 晶体管类型 | NPN |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 80V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
MMBTA06-7-F 是一种高性能的 NPN 型三极管,适用于多种电子应用。其设计旨在满足低功耗、高效率以及严格的温度要求,极大地方便了工程师在各种电路中进行选择和应用。该三极管由全球知名品牌 DIODES(美台)生产,采用 SOT-23 封装,具有极好的热稳定性和可靠性。
MMBTA06-7-F 三极管适用于多种应用场景,包括:
MMBTA06-7-F 提供了一系列设计优势:
在电源管理电路中,MMBTA06-7-F 可以作为开关元件,配合其他被动元件形成高效的 DC-DC 转换器。此外,在音频设备中,可以利用其高增益特性设计出优质的音频信号放大电路。对于射频信号的处理,搭配合适的阻抗匹配元件,该三极管能有效增强信号传输质量。
MMBTA06-7-F 以其卓越的电气性能、可靠的热稳定性及广泛的应用场景,牢牢把握住了现代电子产品设计的需求。无论是在消费电子、工业自动化,还是在通信设备中,它都是一款不可或缺的基础元器件。基于上述特点,设计师在选择合适的 NPN 三极管时,MMBTA06-7-F 理应成为优先选择之一。