存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 4Mb (256K x 16) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 10ns |
访问时间 | 10ns | 电压 - 供电 | 3.135V ~ 3.6V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 44-TSOP(0.400",10.16mm 宽) | 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
IS61LV25616AL-10TL是一款高性能、低功耗的异步SRAM(静态随机存储器),由美国芯成(ISSI)公司生产。它具有4Mb的存储容量,采用256K x 16位的结构,适合各种需要快速存取和高频次读写操作的应用。
IS61LV25616AL-10TL适用于广泛的应用领域,包括但不限于:
与其他同类产品相比,IS61LV25616AL-10TL凭借其超快的访问时间和写周期,高密度的存储结构,以及合理的电压和温度范围,具有明显的市场竞争力。同时,ISSI作为一家知名的半导体制造公司,其产品以高可靠性和稳定性著称,用户可以放心使用。
IS61LV25616AL-10TL 除了有卓越的性能外,ISSI还提供了全面的技术支持和标准的售后服务,确保客户在应用过程中能够顺利应对难题。此外,可靠的供应链保证了元器件的及时交付,满足多样化的市场需求。
IS61LV25616AL-10TL是一款极具性价比的高性能静态随机存储器,广泛适用于各种快速存储和读取需求的电子产品。凭借其稳定的性能、灵活的应用范围以及高效的功耗表现,该产品将成为现代电子系统中不可或缺的重要组成部分,是系统设计者在追求极速存取和高可靠性的理想选择。