RUM002N02T2L
RUM002N02T2L参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 200mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 200mA,2.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 200mA，2.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | VMT3 |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
RUM002N02T2L手册
RUM002N02T2L概述
RUM002N02T2L 产品概述
产品名称: RUM002N02T2L
类型: N通道 MOSFET
品牌: 罗姆（ROHM）
封装类型: SOT-723/VMT3
一、产品背景与应用
RUM002N02T2L是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为低功耗、高效能的应用设计。该器件以其小型化的表面贴装封装（SOT-723）和合理的电气性能，适合在移动设备、消费电子、通讯设备以及其他需要严格空间和散热管理的领域使用。
二、主要规格
漏源电压 (Vdss): 20V
本产品可以在高达20V的漏极-源极电压下安全运行，非常适合于常见的低电压应用场合。连续漏极电流 (Id): 200mA (25°C)
在标准工作温度下（25°C），该MOSFET支持高达200mA的连续电流输出，可有效满足现代电源管理和信号切换需求。栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 1mA
该阈值电压的低值确保了设备在较低的栅极驱动电压下即可导通，提高了驱动电路的设计灵活性。漏源导通电阻 (Rds(on)): 1.2Ω @ 200mA, 2.5V
在200mA电流及2.5V栅压下，低导通电阻使得该器件在传导时效率高，发热量小，从而提高了系统的整体性能及可靠性。最大功率耗散: 150mW (Ta=25°C)
该功率耗散阈值符合许多低功率应用的要求，适合用于有限散热条件的环境。工作温度范围: 高达150°C (TJ)
这种高温工作能力保证了该器件在极端条件下仍能稳定运行，使其在高温工业环境中尤为适用。输入电容 (Ciss): 25pF @ 10V
输入电容的合理设计减小了驱动功耗，提高开关速度，适合于高频开关应用。
三、优势特性
小型化设计: SOT-723封装使得RUM002N02T2L适合于空间受限的应用，与其它元器件组合时，可以显著降低电路板面积。
低功耗运行: 该MOSFET的低导通电阻与阈值电压显示其在低驱动电压下也能高效工作，为电源管理提供了理想选择。
高可靠性与耐高温性能: 具备宽广的工作温度范围及较高的功率耗散能力，使本设备在高温及高载荷的工作环境中表现优异。
四、应用领域
RUM002N02T2L广泛适用于：
- 电源管理：如DC-DC转换器
- 高速开关电路、信号调理
- 范围广泛的消费电子产品，如手机、平板电脑、数码相机等
- 工业应用中的逻辑信号切换
五、结论
RUM002N02T2L的设计考虑了现代电子设备对小型高效电子元器件的需求，以其可靠的电气性能、低功耗特性和优越的耐温能力，成为了工程师在设计电源管理和信号切换电路时的一款极佳选择。无论是在消费电子、工控或通信领域，RUM002N02T2L都能提供卓越表现，为系统的优化与提升助力。