RK7002BMT116
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
SST3(SOT-23-3)
包装 :
编带
重量 :
0.032g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 250mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
410005(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.459按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.459
--
200+
￥0.153
--
1500+
￥0.0957
--
45000+
产品参数
产品手册
常见问题
RK7002BMT116参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 250mA |
| 栅源极阈值电压 | 2.3V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 2.4Ω @ 250mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 250mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 15pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SST3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
RK7002BMT116手册
RK7002BMT116问题
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