TP0610K-T1-GE3
TP0610K-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 185mA |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 185mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.7nC @ 15V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 23pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 350mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
TP0610K-T1-GE3手册
TP0610K-T1-GE3概述
TP0610K-T1-GE3 产品概述
概述
TP0610K-T1-GE3 是一款高性能的P沟道MOSFET，专为需要高效率和可靠性的小型电子设备而设计。其最大漏源电压（Vdss）为60V，能够满足各种应用场景中的电压需求。TP0610K-T1-GE3适用于低功耗电路，由于其额定连续漏极电流为185mA（在25°C时），它是一款理想的选择，以实现稳健的电源开关功能和信号处理。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 60V
- 连续漏极电流 (Id): 185mA（在25°C时）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250μA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 6Ω @ 500mA, 10V
- 最大功率耗散: 350mW（Ta=25°C）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: SOT-23-3（TO-236）
设计特性
TP0610K-T1-GE3的P沟道设计使其在负载切换中成为理想的选择，尤其在需要逆向电流阻断的应用场景中。P沟道MOSFET的结构，可以使其在负电压下保持稳定工作，从而减少可能的电路损坏风险。该器件的栅极阈值电压（Vgs(th)）在3V时能够快速响应触发信号，使用户得以在低电压下高效工作。
通过其6Ω的导通电阻（Rds(on)），TP0610K-T1-GE3能有效减少在导通状态下的功耗。这对于需要高效率电源管理的应用（如便携式设备、消费类电子及嵌入式系统）尤为重要。对于需要高频切换操作的电路，该MOSFET在输入电容（Ciss）方面的表现也相当出色，23pF@25V的输入电容使其具备较高的开关速度，能够适应快速变化的工作条件。
应用场景
TP0610K-T1-GE3广泛应用于:
- 电源开关: 本器件可用于对电源的控制和管理，作为开关元件。其低导通电阻减少了功耗，进而提升了整体系统的能效。
- 负载驱动: 适合驱动小型电机、继电器及其他负载设备，其耐压和性能可以确保在多变的负载条件下可靠运行。
- 信号切换: 可用于信号处理链路中的快速开关切换，为信号通道提供更好的线路控制和管理。
- 消费电子产品: 在个人电子产品领域，如手机、平板等移动设备中，能够支持高效能的电源管理及信号处理。
其他特性
TP0610K-T1-GE3的具有较大的工作温度范围从-55°C到150°C，使其适合在多种工作环境下稳定使用。该器件的SOT-23-3封装形式也保证了良好的热管理与电气性能，且易于在表面贴装电路板上进行集成。
结论
总之，TP0610K-T1-GE3作为一款P沟道MOSFET，其设计和性能特性使其成为电源管理、电机驱动及信号处理应用中的极佳解决方案。无论是在小型便携式设备还是较为复杂的电子系统中，TP0610K-T1-GE3都能发挥出色的作用，帮助设计工程师实现高效率、低功耗的系统，并确保组件在严苛条件下的可靠工作。选用TP0610K-T1-GE3，您将能获得高性能与高可靠性的完美结合。