额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 150mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN,PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 150mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 180MHz,140MHz |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | UMT6 |
概述
UMZ1NTR是一款高性能的NPN和PNP型双极结晶体管(BJT),其设计旨在满足各种电子电路的需求。这款晶体管具有极其优越的电气特性和可靠性,广泛应用于信号放大、开关控制等领域。在现代电子产品中,UMZ1NTR能够提供强大的功率处理能力和效率,成为众多设计工程师的首选组件。
基本参数
UMZ1NTR的额定功率为150mW,提供了高达150mA的集电极电流(Ic)。其集射极击穿电压(Vce)最大值为50V,确保其在较高电压应用中的稳定性。晶体管可在多种不同的条件下工作,在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)情况下,其Vce饱和压降分别在400mV(@5mA)和500mV(@50mA),体现了其出色的导通性能。这种特性使得UMZ1NTR在低功耗、低压应用中显得尤为重要。
电流增益及截止电流
UMZ1NTR在正常工作条件下,具有良好的直流电流增益(hFE),其最小值为120(在1mA和6V下测试)。这表明UMZ1NTR在放大电路中的表现非常理想。此外,最大集电极截止电流(ICBO)仅为100nA,这保证了UMZ1NTR在关闭状态下的极低漏电流,提升了电路的整体稳定性和效率。
频率响应
UMZ1NTR的工作频率跃迁(transition frequency)分别为180MHz和140MHz,显示出其在高频应用中的有效性。这一特性使得UMZ1NTR适合用于高频开关、RF放大器等要求高频率响应的电路设计。
工作温度与安装方式
UMZ1NTR能够在高达150°C的工作温度下可靠运行,适应了广泛的工业应用环境。同时,表面贴装型(SMD)的安装方式使得其在现代电子设备中的集成更加便捷,大大节省了PCB空间,提高了设计灵活性。UMZ1NTR采用的封装类型为UMT6,符合SC-70-6(SOT-363)标准,便于批量生产和博弈设计需求。
应用领域
UMZ1NTR广泛应用于各类电子设备和系统之中,包括但不限于:
不仅如此,凭借其高效率、高频率响应和支持的电流电压范围,UMZ1NTR也适合应用于汽车电子、消费电子、医疗设备等高度集成的系统解决方案。
总结
UMZ1NTR凭借其优越的性能指标,如150mW的功率处理能力、50V的高耐压特性以及高达150mA的集电极电流,为现代电子产品设计提供了强大的支持。其低漏电流特性及良好的频率响应进一步增强了其在各种复杂应用中的优异表现。
无论是在研发新产品的工程师,还是在寻求高性能、可靠性元器件的设计团队,UMZ1NTR都是一个值得信赖的选择,能够助力实现更高效、更稳定的电子系统。在未来的技术发展中,随着对高性能电子元件需求的持续增长,UMZ1NTR势必会在行业中占据一席之地。