IRLML2803TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-23(Micro3)
包装 :
编带
重量 :
0.054g
描述 :
场效应管(MOSFET) 540mW 30V 1.2A 1个N沟道 SOT-23
库存 :
18043(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.654按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.654
--
200+
￥0.423
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1500+
￥0.367
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLML2803TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.2A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 910mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 540mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 910mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 85pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 540mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML2803TRPBF手册
无数据
IRLML2803TRPBF概述
IRLML2803TRPBF 产品概述
一、产品简介
IRLML2803TRPBF 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，专为低电压和高效率应用而设计。其采用小型 SOT-23 封装，能够在空间受限的应用中提供卓越的性能。该器件的主要参数包括：漏源电压（Vdss）30V，连续漏极电流（Id）1.2A，以及较低的导通电阻（Rds(on)）250mΩ，适合广泛的电源管理和切换应用。
二、关键参数
- 漏源电压（Vdss）：最大为30V，意味着该器件非常适合用于低电压的供电系统。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C 环境下，1.2A 的额定电流能够满足大多数电子电路的需求。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：为1V @ 250µA，这保证了在较低栅压下器件开始导通，具有较好的启动特性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在910mA、10V 时为250mΩ，表明在高电流和高驱动电压下，器件展现出较低的导通损耗。
- 栅极电荷（Qg）：最大为5nC @ 10V，这使得该 MOSFET 在开关操作中具备较高的开关效率。
- 工作温度范围：-55°C 到 150°C，确保该器件在严苛环境下稳定运行。
- 功率耗散（Pd）：最大功率耗散为540mW @ 25°C，提供了良好的热管理特性。
三、封装和安装
IRLML2803TRPBF 采用 SOT-23（Micro3）封装，具有小巧轻便的特点，非常适合于需要紧凑设计的电路中。该表面贴装型封装不仅降低了整体电路板面积，而且还改善了热管理和散热性能，提升了设备的可靠性。
四、应用领域
IRLML2803TRPBF 在多种应用中表现卓越，具体包括：
- 电源管理：可用于高效的 DC-DC 转换器、稳压电路及电源切换应用，帮助实现更高的能量效率。
- 负载开关：其高开关频率和低导通电阻使其非常适合于负载切换应用，比如电池管理和电源切换。
- 开关模式电源：在开关模式电源中，可以用作开关元件，能够有效地控制电流和电压。
- 便携式设备：非常适合移动设备和消费电子产品，因为其小型化、低功耗特性能够帮助延长电池寿命。
五、总结
IRLML2803TRPBF 是一款出色的 N 沟道 MOSFET，其低导通电阻、高开关效率和广泛的工作温度范围使其在多种电子应用中都能表现优异。无论是在电源管理、开关模式电源，还是在便携式设备中，其高性能特征都为设计工程师提供了良好的解决方案。
作为英飞凌公司推出的产品，IRLML2803TRPBF 代表着该公司在半导体技术领域的严谨制造工艺和创新能力，必将在现代电子产品中发挥重要作用。