RUC002N05T116
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
SST3(SOT-23-3)
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200mW 50V 200mA 1个N沟道 SOT-23
库存 :
122259(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.751按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.751
--
200+
￥0.251
--
1500+
￥0.157
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3000+
￥0.108
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45000+
产品参数
产品手册
产品概述
RUC002N05T116参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 200mA（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 10V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 漏源电压（Vdss） | 50V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
RUC002N05T116手册
RUC002N05T116概述
RUC002N05T116 产品概述
概述
RUC002N05T116 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，专为各种低功耗电子应用设计。其采用表面贴装型(SMT)封装（SOT-23-3），具有出色的电流控制能力和优异的热稳定性，适合用于多种电源管理、开关电路和信号调理场合。该产品由知名半导体制造商 ROHM(罗姆) 提供，其质量和性能在业界得到了广泛认可。
主要特性
- 类型: N 沟道 MOSFET
- 最大漏极电流 (Id): 200 mA
- 最大漏源电压 (Vdss): 50 V
- 导通电阻 (Rds On): 2.2 欧姆 (在 4.5V 驱动下 @ 200mA)
- 驱动电压范围: 1.2V 至 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 25 pF (在 10V 驱动下)
- 最大功率耗散: 200 mW (在 25°C 环境温度下)
- 最大工作温度: 150°C
- 最大栅极源极电压 (Vgs): ±8 V
应用场景
RUC002N05T116 可广泛应用于便携式设备、电源管理、充电器、LED 驱动、电动机控制以及其他需要高效开关过程的电子系统。由于其出色的导通特性和低功耗表现，该 MOSFET 非常适合需要实现高效率和体积紧凑的应用。
电源管理: 在电源转换应用中，RUC002N05T116 能够帮助提高电源的效率，减少待机功耗，适合用于 DC-DC 转换器、线性稳压器等。
LED 驱动: 该 MOSFET 的低 Rds On 值有助于在 LED 驱动电路中减少功耗，提高光效。
开关电路: N 沟道 MOSFET 在高边和低边开关电路中表现出色，能够有效地控制负载的开启与关闭。
便携设备: 由于其小巧的 SOT-23 封装，RUC002N05T116 可用于空间受限的便携、移动设备中，使设计更为灵活。
性能优势
- 低导通电阻: 2.2 欧姆的低导通电阻不仅优化了功率损耗，还增强了 MOSFET 在高频开关应用中的表现，使得其在开关速度上具备更高的效率。
- 宽工作温度范围: 该MOSFET 能够在150°C的高温环境下稳定工作，适合于工业和高温条件下的设备。
- 集成性强: SOT-23 封装设计使其在多层 PCB 设计中非常适用，能够有效节省空间。
技术规格
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1V @ 1mA，确保在较低的驱动电压下即可启动，提供良好的工作线性性和控制性。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 25pF @ 10V 的输入电容，使得该 MOSFET 在高频操作中展现出良好的响应能力。
结论
RUC002N05T116 N 沟道 MOSFET 是一款兼具高效率和高可靠性的电子元件，适合多种低功耗应用。ROHM(罗姆) 提供的这款 MOSFET 以其出色的性能和稳定的质量为众多电子应用提供了强有力的支持。通过其卓越的设计和技术特点，RUC002N05T116 不仅能满足现代电子设备对高效能的需求，还能在经济性和可持续发展方面为设计者提供更大的灵活性。