PMBT4403,215
PMBT4403,215参数
| 额定功率 | 250mW | 集电极电流Ic | 600mA |
| 集射极击穿电压Vce | 40V | 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 40V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 750mV @ 50mA，500mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，2V | 功率 - 最大值 | 250mW |
| 频率 - 跃迁 | 200MHz | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | TO-236AB |
PMBT4403,215手册
PMBT4403,215概述
PMBT4403,215 产品概述
PMBT4403,215 是一款高性能的PNP型双极晶体管（BJT），由知名半导体供应商安世（Nexperia）制造。该器件的设计服务于各种电子应用，尤其适用于开关和放大电路。它的优势在于其出色的电气性能、较低的功耗和可靠性，在现代电子设备的电路设计中扮演着重要角色。
关键参数
额定功率: PMBT4403 最大功率为250mW，适合于低功耗和中功率应用，能够有效减少在操作过程中的热量产生，从而提高设备的稳定性和使用寿命。
集电极电流（Ic）: 最大集电极电流为600mA，使得此器件能够处理相对较高的负载，适用于驱动小功率电机或用于信号放大。
集射极击穿电压（Vce）: 本器件的最大集射极击穿电压为40V，提供了一定的安全余量，确保能够在多种工作条件下稳定运行，减少因电压过高而造成器件损坏的风险。
Vce饱和压降: 不同集电极电流（Ic）下的Vce饱和压降分别为750mV（50mA）与500mV (500mA)，在实现电流开关时表现出低损耗特性，有助于提高电路效率。
电流增益（hFE）: 最小直流电流增益（hFE）达到100 @ 150mA和2V的工作条件，表明该晶体管在小信号放大方面有良好的性能，能够有效提高信号的强度。
截止电流: 最大集电极截止电流（ICBO）为50nA，显示了器件在无信号输入时的超低漏电特性，适合用于高精度的模拟信号电路。
频率响应: 在200MHz的跃迁频率内，PMBT4403可适用于高频信号处理，使其得到广泛应用于无线通讯和射频电路。
工作温度范围: 器件的工作温度可达到150°C（TJ），保证其在恶劣环境下的稳定性及可靠性，使其适合于工业及汽车电子领域。
封装与安装
PMBT4403采用SOT-23-3封装（TO-236AB），是一种表面贴装型封装，适合现代电子产品中所需的高密度设计。其小巧的体积与轻便的重量为工程师提供了广泛的设计灵活性，能够在各种布局下实现简单的集成。表面贴装的便利性使得其可以很容易地被应用于自动化的生产线，降低了制造成本并提高了生产效率。
应用场景
由于其优良的性能指标，PMBT4403,215适用于多种电子应用，包括但不限于：
- 开关电路：用作驱动小电流负载（如LED或继电器）。
- 放大电路：在音频和视频信号处理中的小信号放大。
- 线性稳压电源：在线性调节器电路中提供可变电流放大。
- 无线通信：快速开关能力适合用于RF放大器和调制解调器配置。
总结
PMBT4403,215是一款集成了多种优良特性的PNP型晶体管，适合广泛的电子应用。凭借其出色的电气特性、符合现代设计要求的封装和广泛的应用场景，它在消费电子、工业控制、汽车电子等领域的设计中，将为工程师们提供强有力的支持。对于寻找高效、可靠且经济的解决方案的设计师来说，PMBT4403无疑是一个理想的选择。