BSS84-7-F
BSS84-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 50V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 130mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 10Ω @ 100mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 欧姆 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 45pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 300mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
BSS84-7-F手册
BSS84-7-F概述
BSS84-7-F 产品概述
一、产品简介
BSS84-7-F是一款高性能的P沟道场效应管(MOSFET)，由DIODES半导体公司出品，其设计目标是为了提供可靠且高效的开关和线性调节应用。该元件在电子设备中广泛应用，特别适用于需要良好控制电流的场合，如电源管理、开关电路和模拟信号处理等。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 该产品的最大漏源电压为50V，这使其适合用于中等电压应用，能够有效地承受电源电压的波动，而不引起击穿。
连续漏极电流（Id）: BSS84-7-F在25°C环境下的最大连续漏极电流为130mA。这一参数决定了它在电路中的载流能力，对于大多数低功率应用而言，这是一个足够的电流范围。
栅源极阈值电压: 此元件的栅源极阈值电压为2V @ 1mA，意味着其可以在低电压下有效启动，符合低功耗电路的需求。
漏源导通电阻（Rds(on)）: BSS84-7-F的导通电阻在100mA、5V条件下最大为10Ω。低的导通电阻确保了在开启状态下的电流损耗较小，从而提高了电源的效率。
功率耗散: 最大功率耗散能力为300mW（在25°C环境下），说明该元件能够在较高负载下稳定工作，具有良好的热管理能力。
工作温度范围: BSS84-7-F的工作温度范围从-55°C到150°C，适用于各类严格的环境条件，特别是在温度变化较大的应用场合。
封装及尺寸: 该元件采用SOT-23封装，具有紧凑的尺寸和适合表面贴装的设计，方便在密集的电路板上进行安装。
三、应用领域
BSS84-7-F适用于各种电子设备，尤其是在以下场合具有显著优势：
电源管理: 可用作电源开关和调节器，控制电压和电流，确保电路稳定运行。
模拟电路: 应用在电子开关、负载开关以及模拟信号切换等场合，具有较低的信号失真率。
便携式设备: 由于其低阈值电压和相对较小的封装，BSS84-7-F非常适合于电池供电的设备，提升了产品的续航能力和效率。
LED驱动: 在LED驱动电路中发挥重要作用，能够控制LED的开启与关闭，提升光源的效率与使用寿命。
四、设计优势
高效能: BSS84-7-F的低Rds(on)确保在开启状态时的能量损耗最小化，减少了发热，有助于增加电子产品的可靠性和使用寿命。
宽工作温度范围: 产品能够在极端温度下稳定工作，使其在不同的工业及消费应用中均能出色表现。
小型封装: SOT-23封装对于现代电子设备尤为重要，有助于节省空间并提高集成度。
五、总结
综上所述，BSS84-7-F是一款高效、可靠且应用广泛的P沟道MOSFET，非常适合中低功耗的电子产品设计。其优良的性能特点及设计灵活性，使其成为固态开关、功率管理及模拟电路中的理想选择。对于寻求高效率和稳定性的工程师而言，BSS84-7-F无疑是一个理想的元件选择。