DTC114EKAT146
DTC114EKAT146参数
| 额定功率 | 200mW | 集电极电流Ic | 50mA |
| 集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 50mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，10mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
DTC114EKAT146手册
DTC114EKAT146概述
DTC114EKAT146 产品概述
产品背景
DTC114EKAT146 是一款由知名电子元器件供应商 ROHM（罗姆）生产的数字晶体管，属于 NPN 预偏置类型，特别适用于需要高速切换和高频应用的电子电路。其设计与制造考虑了现代电路对可靠性和性能的苛刻要求，广泛应用于手持设备、消费电子、电机驱动电路和其他需要高性能小型元件的场合。
基本参数
DTC114EKAT146 的额定功率为 200mW，支持最大集电极电流 (Ic) 为 50mA，以及集射极击穿电压 (Vce) 达 50V。这些参数使得它能够在多种工作条件下保持高效稳定的性能。此外，该器件具有极低的集电极截止电流，最大仅为 500nA，这对于高阻抗输入电路尤为重要，在避免电流泄漏的同时，确保了信号的准确性。
电气特性
随着对电子产品性能的不断提升，本产品的 DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 30 (测量条件为 5mA，5V)，确保了在低电流驱动下也能实现相对较高的放大效应，进而提高了整体电路的灵敏度和稳定性。同时，DTC114EKAT146 提供优越的饱和压降特性，在最大 Vce 饱和压降高达 300mV (测量条件为 500µA，10mA) 时仍能保持高性能，这对于减少功耗、提高效率至关重要。
高频特性
在现代通信领域，频率响应是 拓展应用域的关键竞争力之一。DTC114EKAT146 的跃迁频率可高达 250MHz，远高于许多传统的晶体管，为高频开关、新一代通信设备的高效信号处理提供了可能，支持高速度的数字信号传输和处理。
封装与安装
该晶体管采用表面贴装型封装，具体封装形式为 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3。小型化的设计使得其在电路板上占据的空间极小，便于在高密度的布线条件下实现灵活布局，满足现代电子产品日益紧凑的设计需求。此外，表面贴装技术（SMT）提供了简化的生产工艺和更高的组装效率，适合规模化生产。
应用场景
DTC114EKAT146 适用于多种场合，包括但不限于：
- 移动通信：在手机、平板等设备中，负责信号的放大与处理。
- 消费电子：如电视、音响等产品中的开关和放大电路。
- 电机控制：在电动机驱动器中起到控制和放大的作用。
- 传感器接口：用于处理来自传感器的信号，支持智能设备的运行。
结论
综上所述，DTC114EKAT146 是一款设计精良的 NPN 预偏置数字晶体管，结合了高效的电气性能和紧凑的表面贴装封装，能在多种应用场景中提供高效的解决方案。凭借其出色的频率响应和低功耗特性，DTC114EKAT146 适合于现代电子产品的诸多高要求领域，是设计工程师的理想选择。随着技术的不断发展与创新，该产品将在更多领域看到其应用潜力。