安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 3.5 欧姆 @ 200mA,10V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 280mA(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 43pF @ 25V | Vgs(最大值) | ±20V |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1.5nC @ 10V |
漏源电压(Vdss) | 60V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 26µA |
BSS138WH6327XTSA1 产品概述
一、概述
BSS138WH6327XTSA1 是由英飞凌(Infineon)公司制造的一款高效能 N 通道MOSFET,专为面向各种电子应用而设计的。该元器件封装为 SOT-323,是一种表面贴装型产品,提供了优异的性能和可靠性。凭借其出色的导通电阻、良好的电流承载能力和宽工作温度范围,BSS138WH6327XTSA1 广泛应用于低电压和低功耗的电路设计。
二、技术规格
安装类型和封装
导通电阻(Rds On)
电流与电压参数
输入电容与栅极电荷
阈值电压(Vgs(th))
工作温度和功率耗散
三、应用场景
BSS138WH6327XTSA1广泛应用于消费电子、电源管理、电机驱动、自动化控制等领域。其特点决定了它可以有效用于:
开关电路:适用于低电压开关电路,能够高效地控制负载开关状态。
电源管理:在电源转换电路中,该 MOSFET 可用于实现高效的电源调节与转换,最大限度地减少能量损耗。
信号开关:适用于数据信号的开关控制,能够快速响应变化,提升信号处理速度。
智能家居和物联网设备:由于其低功耗和高密度特性,适合用于各种智能设备,支持高效的集成设计。
四、总结
BSS138WH6327XTSA1 是一款可靠的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气性能和广泛的应用潜能,非常适合现代电子电路设计。通过集成高效的开关特性和紧凑的封装设计,BSS138WH6327XTSA1 不仅满足了电子工程师对节能和空间利用的要求,也为各种应用提供了应用灵活性和互操作性。在追求高效和微型化的电子设计时代,该产品无疑是一个理想的选择。