反向恢复时间(trr) | 4ns | 直流反向耐压(Vr) | 75V |
平均整流电流(Io) | 300mA | 正向压降(Vf) | 1.25V @ 150mA |
二极管配置 | 1 对串联 | 二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 75V | 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 300mA(DC) |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.25V @ 150mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 4ns | 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 2.5µA @ 75V |
工作温度 - 结 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
BAV99-7-F 是一种高性能的快速恢复二极管,专为高频开关应用而设计。该产品采用表面贴装型(SMD)封装,适合于多种电路板设计,尤其是空间紧凑且需要高效电流控制的场合。其优异的电气参数和较宽的工作温度范围使其成为电子设备中不可或缺的元件之一。
反向恢复时间 (trr): BAV99-7-F 的反向恢复时间为 4ns,这意味着它能够快速从导通状态切换到阻断状态,非常适合用于高频电路。这种特性显著减少了开关损耗,提高了电路的工作效率。
直流反向耐压 (Vr): 最大的直流反向耐压为 75V,使其能够在多种应用中承受高压。此额定值确保了其在相对高电压环境中的安全性和可靠性。
平均整流电流 (Io): 每个二极管的平均整流电流为 300mA,适用于许多典型的信号整流和负载驱动应用。这一额定电流显示了其在负载下的持续工作能力。
正向压降 (Vf): 在 150mA 的条件下,BAV99-7-F 的正向压降为 1.25V,这表明在导通状态下的功率损耗较低,从而提高了电源效率。
反向泄漏电流: 在 75V 条件下,反向泄漏电流仅为 2.5µA,进一步增强了设备的可靠性。低反向泄漏确保了在关闭状态下不至于影响电路的整体功耗。
BAV99-7-F 的工作结温范围从 -65°C 到 150°C,使其在极端环境下仍能够正常工作,适合于广泛的工业和消费类电子产品。这种高温稳定性意味着该器件在高温或低温环境中应用时,性能不会受到显著影响。
该产品采用 SOT-23 封装,尺寸小巧,极大地节省了电路板空间。由于其符合表面贴装(SMT)标准,BAV99-7-F 能够轻松集成到各种现代电子应用中,特别是在多层电路板设计中。此外, SOT-23 封装类型使得该元件在焊接和生产过程中具有良好的兼容性,提高了生产效率。
BAV99-7-F 适用于多种应用场景,包括但不限于:
其快速恢复能力使得 BAV99-7-F 非常适合用于高频应用。无论是在通信设备、音视频设备、还是其他需要快速开关响应的系统中,该产品都能发挥出色的性能。
BAV99-7-F 以其卓越的电气特性、广泛的应用适应性和可靠的工作性能,被广泛应用于现代电子产品中。其4ns的反向恢复时间、75V的反向耐压、300mA的平均整流电流以及小巧的SOT-23封装,使其在高频开关及整流电路中尤为受欢迎。作为 DIODES 品牌的一部分,BAV99-7-F 代表了高质量和高可靠性的代名词,是设计工程师在选择快速二极管时的优选组件。选择 BAV99-7-F,您将能够实现高效率和高性能的电路设计。