2N7002W-7-F
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT323
包装 :
编带
重量 :
0.026g
描述 :
场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-323-3
库存 :
195511(起订量1,增量1)
批次 :
5年内数量 :
X
0.599按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.599
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200+
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1500+
￥0.124
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60000+
产品参数
产品手册
产品概述
2N7002W-7-F参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 115mA |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5Ω @ 50mA,5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 200mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 200mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
2N7002W-7-F手册
2N7002W-7-F概述
2N7002W-7-F 产品概述
基本描述
2N7002W-7-F 是一种高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为低功率应用而设计，具有高效、可靠的导电性能和良好的热管理能力。本产品由 DIODES（美台）公司生产，采用 SOT-323 封装，适合表面贴装应用，广泛应用于各种电子电路中。
主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压可达到 60V，使其适用于多种中低电压的开关电路应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，2N7002W-7-F 可以输出最多 115mA 的连续漏极电流，满足大多数控制电路的需求。
- 栅源极阈值电压: 该器件的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 2V @ 250µA，确保在较低的输入电压下即可实现导通，提升了电路的兼容性和灵活性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 50mA 和 5V 的条件下，该 MOSFET 的漏源导通电阻为 7.5Ω，这是保证低能耗和高效能的重要指标。
- 最大功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 200mW（在 25°C 时），使其在工作时能够有效管理热量，降低过热风险。
- 工作温度范围: 这个器件的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适用于极端环境条件的应用。
应用领域
由于其优秀的特性，2N7002W-7-F MOSFET 适合在多个领域中使用，包括但不限于：
- 开关电源: 由于其高电压和电流能力，可用于开关电源电路，以提高能效和稳定性。
- 驱动电路: 虽然其主要用于小信号，但也可以驱动小型负载，如继电器和 LED。
- 信号放大: 在某些低功耗信号放大场合也可应用，以提供所需的增益效果。
- 电机驱动: 可用于小功率电机的开关控制，尤其是在玩具、模型和小型家电中。
封装和安装
2N7002W-7-F 采用 SOT-323 封装，适合表面贴装设计。其小巧的尺寸使得它在高密度电路板设计中得到了广泛的应用。通过 PCB 的表面贴装工艺，可以实现高效的自动化生产，同时减少了对空间的占用，提高了可靠性。
使用注意事项
尽管 2N7002W-7-F 具有良好的性能，但在使用时仍需注意以下几点：
- 确保工作电压不超过 60V，以避免器件损坏。
- 使用时，应保证栅极电压不超过 ±20V，以保护器件免受过压损害。
- 鉴于功率耗散的特性，建议在高功耗应用场合添加散热措施，以避免高温影响其性能。
结论
2N7002W-7-F 是一款高品质的 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气特性、广泛的应用范围和便捷的封装形式，适用于现代电子设备中多种低功耗和高效能应用。无论是在开关电源、信号处理还是小型电子产品的设计中，2N7002W-7-F 均能为工程师和设计师提供可靠的解决方案，是电子设计中的优秀选择。