圣禾堂在线
AO4407A 产品实物图片
AO4407A 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

AO4407A

商品编码: BM0000279590
品牌 : 
AOS
封装 : 
SOIC-8
包装 : 
编带
重量 : 
0.205g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 12A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
26560(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.733
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.733
--
200+
¥0.506
--
1500+
¥0.46
--
3000+
¥0.431
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

AO4407A参数

漏源电压(Vdss)30V连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A
栅源极阈值电压3V @ 250uA漏源导通电阻11mΩ @ 12A,20V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W类型P沟道

AO4407A手册

empty-page
无数据

AO4407A概述

AO4407A 产品概述

产品简介

AO4407A 是由 AOS 生产的一款高性能 P 沟道场效应管 (MOSFET),其主要应用于电源管理、功率开关和其他高效能电子电路中。作为一种集成度较高的电子元件,AO4407A 以其优异的电气性能和可靠的热管理能力,广泛适用于各类电子应用,包括电动机驱动、电源转换和自动化控制等领域。

技术规格

  • 漏源电压(Vdss): 30V AO4407A 的漏源电压为 30V,适合于许多中低压应用场景。在设计时,确保该电压值低于产品最大额定值,以保障元件的安全运行。

  • 连续漏极电流(Id): 12A @ 25°C 在正常工作条件下,AO4407A 可承受的连续漏极电流为 12A,这使得其能够满足大多数需要较高电流的负载需求,适宜用于电源转换和驱动高功率部件的应用。

  • 栅源极阈值电压: 3V @ 250uA 栅源阈值电压为 3V,表明 MOSFET 在该电压下能够有效导通。这一参数对于设计控制电路是至关重要的,因为它决定了元件的驱动电平。

  • 漏源导通电阻: 11mΩ @ 12A, 20V AO4407A 具有较低的漏源导通电阻,达到了 11mΩ,这可以减少在运行过程中的能量损耗,提高功率效率,有助于实现更高效的电源管理。

  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 3.1W 在环境温度为 25°C 时,AO4407A 的最大功率耗散为 3.1W。这一参数能帮助设计师评估在特定条件下,元件的散热需求,确保电路稳定运行。

封装和结构

AO4407A 的封装形式为 SOIC-8,属于表面贴装技术 (SMT) 组件。这种封装形式不仅占用空间小,而且可减少电路板上的焊接步骤,改善生产效率。同时,SOIC-8 封装的引脚布局也使得其在热管理和电气连接上具有良好的表现,能够满足高频和高效率的电路设计需求。

应用领域

AO4407A 由于其优异的电气特性,适用于多个应用领域,包括但不限于:

  1. 电源管理: 在开关电源、DC-DC 转换器中作为开关元件,以实现高效率能量转换。
  2. 电机驱动: 在电动机控制中,用于驱动 P 型 MOSFET,提高电机的动力输出和效率。
  3. 负载开关: 在电子设备中作为开关元件,控制负载的开关状态,广泛应用于消费电子、工业设备等。
  4. 电池管理系统: 在可再生能源和电动车辆应用中,调节和管理电池的充放电过程。

总结

AO4407A 是一款具备高性能和高效率的 P 沟道 MOSFET,凭借其优越的电气特性,被广泛应用于电源管理、电机驱动及其他高功率电子设备中。其低导通电阻和高连续电流能力,使其在各类应用中都能表现出色。借助 SOIC-8 的小型化封装,AO4407A 不仅适合应用于空间受限的电路中,也优于其他传统元件的制作和维护。无论是在设计新产品,还是替换旧元件,AO4407A 都是值得考虑的优秀选择。